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투명 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015008476
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 활성층으로 산화물 반도체가 적용된 투명 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극에 대해 산화물층과 금속층이 상하 적층된 2층 구조로 형성함으로써, 소스 전극 및 드레인 전극이 활성층과 함께 산화물-금속-산화물 3층 구조를 이루도록 하고, 이에 따라 반사방지 효과를 통한 투과도 향상 및 전기적인 특성을 향상시킬 수 있고, 제조 공정이 단순하여 비용이 절감되고 더욱 용이하게 제작할 수 있으며, 전체적인 두께를 더욱 박막화할 수 있는 투명 박막 트랜지스터를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020120147827 (2012.12.17)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1412408-0000 (2014.06.19)
공개번호/일자 10-2014-0078453 (2014.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 최광혁 대한민국 경기 수원시 영통구
3 강신비 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에스제이컴퍼니 경기도 안양시 동안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1050192-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0080800-68
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0791770-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0056661-81
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0163707-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0263856-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0378775-40
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0378776-96
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0325636-28
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상면에 게이트 전극, 게이트 절연층, 활성층, 소스 전극 및 드레인 전극이 적층 형성되는 투명 박막 트랜지스터에 있어서,상기 활성층은 산화물 반도체로 형성되고,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 산화물층과 금속층이 상하 적층된 형태의 2층 구조로 형성되며,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 금속층이 상기 활성층과 접촉하도록 배치되어, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 활성층이 산화물-금속-산화물의 3층 구조를 이루도록 형성되고,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 산화물층은 상기 활성층의 산화물 반도체와 동일한 물질로 적용되며,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 산화물층의 두께는 상기 활성층의 두께와 동일한 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 산화물층은 전도체 물질 또는 반도체 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 산화물층은 InSnO, InSnZnO, InZnO, InGaO, AlZnO, GaZnO, AlGaZnO 중 어느 하나의 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 산화물층은 20~40 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 금속층은 Ag, Cu, Al, Au, Pt 중 어느 하나의 금속 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극의 금속층은 8~20 nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.