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와이어를 이용하는 공진 구조체와 공진 터널링 트랜지스터및 공진 구조체 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015011511
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공진 구조체가 개시된다. 본 공진 구조체는, 제1 단자, 상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자, 상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부, 상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 공진시키는 제3 단자 및, 상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부를 포함한다. 이에 따라, 트랜스덕션 효율을 높일 수 있다.공진 구조체, 와이어부, 포텐셜 베리어
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01) B81C 1/00142(2013.01)
출원번호/일자 1020080007186 (2008.01.23)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1400238-0000 (2014.05.21)
공개번호/일자 10-2009-0081218 (2009.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박윤권 대한민국 경기 동두천시
2 황성우 대한민국 서울 강남구
3 신제식 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 하병주 대한민국 경기 성남시 분당구
5 이재성 대한민국 서울특별시 마포구
6 송인상 대한민국 서울특별시 관악구
7 김용규 대한민국 서울특별시 양천구
8 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
9 김희태 대한민국 충청남도 서산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정홍식 대한민국 서울시 서초구 강남대로 *** 신덕빌딩 *층(나우특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0057530-80
2 보정요구서
Request for Amendment		 2008.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0018116-25
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0122447-02
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0065918-96
9 보정요구서
Request for Amendment		 2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0012593-13
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2013.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0100480-56
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0832709-87
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0098892-94
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0098894-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0125239-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 단자;상기 제1 단자와 대향 배치된 제2 단자;상기 제1 단자 및 상기 제2 단자 사이를 연결하는 와이어부;상기 와이어부와 일정거리 이격 배치되어, 상기 와이어부를 역학적으로 공진시키는 제3 단자; 및,상기 와이어부 상에 형성되며, 네거티브 저항 성분을 제공하는 포텐셜 배리어부;를 포함하는 공진 구조체
2 2
제1항에 있어서,상기 포텐셜 배리어부는,상기 와이어부 상에서 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 포텐셜 배리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체
3 3
제1항에 있어서,상기 와이어부는,원형 또는 다각형 단면을 이루는 나노 와이어인 것을 특징으로 하는 공진 구조체
4 4
제1항에 있어서,상기 와이어부는 Si로 이루어지며,상기 포텐셜 배리어부는 SiGe로 이루어지는 복수의 포텐셜 배리어(potential barrier) 및 상기 복수의 포텐셜 배리어 사이에 위치하는 웰(well) 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 와이어부 주변에 자기장을 생성하는 자계 생성부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체
6 6
제5항에 있어서,상기 와이어부 상의 일 영역에 형성되며, 상기 자기장에 반응하여 상기 와이어부를 변위시키는 자성체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체
7 7
드레인 부;상기 드레인부와 대향 배치된 소스 부;상기 드레인부 및 상기 소스부 사이를 연결하는 와이어부;상기 와이어부와 일정 거리 이격 배치되며, 상기 와이어부를 역학적으로 공진시켜 상기 드레인부 및 상기 소스부 사이에서 공진 터널링을 발생시키는 게이트부; 및,상기 공진 터널링 발생 시에 네거티브 저항 성분을 제공하여, 상기 드레인부 및 상기 소스부 사이에 흐르는 전류의 크기를 증대시키는 포텐셜 배리어부;를 포함하는 공진 터널링 트랜지스터
8 8
제7항에 있어서,상기 와이어부는 Si로 이루어지며,상기 포텐셜 배리어부는 SiGe로 이루어지는 복수의 포텐셜 배리어 및 상기 복수의 포텐셜 배리어 사이에 위치하는 웰 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 트랜지스터
9 9
제7항 또는 제8항에 있어서,상기 와이어부 주변에 자기장을 생성하는 자계 생성부; 및,상기 와이어부 상의 일 영역에 형성되며, 상기 자기장에 반응하여 상기 와이어부를 변위시키는 자성체;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 터널링 트랜지스터
10 10
순차적으로 적층된 복수 개의 반도체 층의 일 표면을 도핑하여, 복수 개의 포텐셜 배리어를 형성하는 단계;상기 일 표면 상의 타 영역을 도핑하여, 상기 복수 개의 포텐셜 배리어가 형성된 영역을 사이에 두고 서로 대향 배치되는 제1단자 및 제2단자를 형성하는 단계;상기 복수의 단자가 형성되지 않은 영역을 패터닝하여, 상기 복수 개의 포텐셜 배리어를 포함하는 와이어부를 상기 제1단자 및 상기 제2단자 사이에 형성하는 단계; 및,상기 와이어부 하측의 반도체층을 식각하여, 상기 와이어부가 역학적으로 공진가능한 공간을 확보하는 단계; 및,상기 와이어부와 일정 거리에 이격된 제3 단자를 형성하는 단계; 를 포함하는 공진 구조체 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서,상기 와이어부의 일 측에 자계 생성부를 배치하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 와이어부의 일 영역에 자성체를 코팅하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공진 구조체 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08120015 US 미국 FAMILY
2 US20090184783 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009184783 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8120015 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.