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산화물 박막 형성을 위한 조성물, 산화물 박막 제조방법 및 박막 트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015012785
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 제조방법은 (a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계, (b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계, (c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110089180 (2011.09.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1361054-0000 (2014.02.04)
공개번호/일자 10-2013-0025703 (2013.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 송파구
2 김동림 대한민국 서울특별시 서대문구
3 정주혜 대한민국 서울특별시 강남구
4 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0689051-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503363-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073877-63
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0626696-15
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1065196-16
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0057361-22
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0057360-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0376060-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0643875-12
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0644154-91
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0643874-77
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0644156-82
17 보정요구서
Request for Amendment		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0087461-20
18 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0103643-10
19 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0071786-22
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
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2 2
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4 4
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 광 에너지를 공급하는 단계는 일정 시간 단위로 반복적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
5 5
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 광 에너지를 공급하는 단계는 10분 내지 10시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
6 6
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 광 에너지를 공급하는 단계는 상기 전구체 물질의 결합에너지보다 큰 에너지를 갖는 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
7 7
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 광 에너지를 공급하는 단계는 2 mW/cm2 내지 20 mW/cm2 세기의 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
8 8
제4 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 과산화물질은 과산화수소(H2O2), 과산화아세톤(C6H12O4), 1,2,4-트리옥세인(C3H6O3), 과산화벤조일(C14H10O4) 및 메틸-에틸-케톤-퍼옥사이드(MEKP) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
9 9
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 전구체 물질은 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 탈륨(Th), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 하프늄(Hf), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 니켈(Ni) 중 적어도 어느 하나와,시트레이트(citrate), 아세테이트(acetate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 아크릴레이트(acrylate), 클로라이드(chloride), 니트레이트(nitrate), 플루라이드(fluoride), 메톡사이드(methoxide), 에톡사이드(ethoxide), 프로폭사이드(propoxide) 및 부톡사이드(butoxide) 중 적어도 어느 하나가 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
10 10
(a) 전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계; 그리고(c) 상기 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조 방법으로,상기 (c) 단계는, (d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전 열처리하는 단계; 그리고(e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후 열처리하는 단계를 포함하고,상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하며,상기 전구체 물질 및 과산화물질은 1 대 0
11 11
(a) 전구체 용액을 형성하는 단계;(b) 상기 전구체 용액을 기판 위에 도포하는 단계;(d) 상기 전구체 용액의 용매를 증발시키기 위해 상기 기판을 전열처리하는 단계; (e) 산화물 박막 형성을 위해 상기 기판을 후열처리하는 단계; 그리고상기 (a), (b), (d) 및 (e) 단계 중 적어도 어느 하나의 단계를 수행한 후에 광 에너지를 공급하는 단계를 포함하는 산화물 박막 제조방법
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전구체 물질 및 과산화물질을 포함하는 산화물 박막 형성을 위한 조성물로서,상기 전구체 물질 및 과산화물질은 1 대 0
16 16
용액 공정을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서:전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 형성된 전구체 용액을 이용하여 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 포함하며,상기 과산화물질은 과산화수소(H2O2), 과산화아세톤(C6H12O4), 1,2,4-트리옥세인(C3H6O3), 과산화벤조일(C14H10O4) 및 메틸-에틸-케톤-퍼옥사이드(MEKP) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
17 17
용액 공정을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서:전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 형성된 전구체 용액을 이용하여 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계는 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 포함하고,상기 과산화물질은 과산화수소(H2O2), 과산화아세톤(C6H12O4), 1,2,4-트리옥세인(C3H6O3), 과산화벤조일(C14H10O4) 및 메틸-에틸-케톤-퍼옥사이드(MEKP) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
18 18
용액 공정을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서:전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 형성된 전구체 용액을 이용하여 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 포함하며,상기 전구체 물질 및 과산화물질은 1 대 0
19 19
용액 공정을 이용한 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서:전구체 물질과 과산화물질을 혼합하여 형성된 전구체 용액을 이용하여 기판 위에 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 포함하며,상기 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널막 및 소오스-드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계는 상기 기판에 광 에너지를 공급하는 단계를 포함하고,상기 전구체 물질 및 과산화물질은 1 대 0
20 20
제17 항 또는 제19 항에 있어서,상기 광 에너지는 상기 전구체 물질의 결합에너지보다 큰 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08859331 US 미국 FAMILY
2 US20130059414 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013059414 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8859331 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT 기술개발