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기판 상에서 표면 에너지를 이용한 나노 와이어 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015127107
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법이 제공된다. 상기 방법은 (A) 상기 기판의 적어도 일부를 친수성 표면으로 처리하는 단계와, (B) VI족 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 표면에 적하하여 분산시키는 단계와, (C) 상기 기판을 가열하여 상기 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 친수성 표면에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 고체 기판의 표면 에너지를 변화시킴으로써 a-Se 콜로이드로부터 t-Se 나노 와이어로의 변형을 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01) C30B 19/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080095686 (2008.09.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0036447 (2010.04.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.30)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정운룡 대한민국 서울 서대문구
2 고성욱 대한민국 서울 양천구
3 김성동 대한민국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0685047-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.09.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0061565-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0458233-79
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0818055-46
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0030927-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0102233-63
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0362144-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법으로서, (A) 상기 기판의 적어도 일부를 친수성 표면으로 처리하는 단계와, (B) VI족 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 표면에 적하하여 분산시키는 단계와, (C) 상기 기판을 가열하여 상기 콜로이드 또는 전구체를 상기 기판의 친수성 표면에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시키는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 수평 성장하는 나노 와이어를 더욱 가열하여 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 VI족 콜로이드는 Te 또는 Se 콜로이드인 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 VI족 콜로이드는 Se 콜로이드인 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 Se 콜로이드는 상기 (B)의 단계에서 a-Se 콜로이드 형태이고, 상기 (C) 단계에서의 가열 중 t-Se 나노 와이어로 변형되는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 (C) 단계에서 a-Se 콜로이드는 Ostwald ripening process를 통해 t-Se 나노 와이어로 성장하는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (A) 단계에서 상기 기판은 그 적어도 일부가 상기 기판의 용례에 맞는 원하는 패턴의 형태로 친수성 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 (A) 단계에서 상기 기판은 그 적어도 일부가 (A-1) 트리클로로에틸렌, 아세톤 및 이소프로필알코올에 의해 연속적으로 세정 처리되거나, (A-2) 산소 플라스마에 의해 처리되거나, (A-3) 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane; APTES)에 의해 처리되어, 친수성 표면으로 처리되는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
9 9
청구항 3 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C)의 단계에 있어서 상기 기판은 상기 Se의 유리 전이점(Tg)과 100℃ 사이의 온도에서 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 (C)의 단계에 있어서 상기 기판은 40~70℃ 범위의 온도에서 가열되는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법
11 11
나노 와이어에 의해 상호 연결되는 적어도 두 개의 전극을 포함하는 전자 소자를 제조하는 방법으로서, (a) 적어도 일부가 친수성 표면으로 처리된 기판을 제공하는 단계와, (b) Te 또는 Se 콜로이드를 상기 기판의 표면에 적하하여 분산시키는 단계와, (c) 상기 기판을 가열하여 상기 콜로이드를 상기 기판의 친수성 표면에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시켜, 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계와, (d) 상기 네트워크 형태로 상호 연결된 나노 와이어 위에 상기 전극을 형성하여, 상기 나노 와이어를 통해 전극들을 전기적으로 상호 접속하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 콜로이드는 Se 콜로이드인 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 Se 콜로이드는 상기 (b)의 단계에서 a-Se 콜로이드 형태이고, 상기 (c) 단계에서의 가열 중 t-Se 나노 와이어로 변형되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 (c) 단계에서 a-Se 콜로이드는 Ostwald ripening process를 통해 t-Se 나노 와이어로 성장하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
15 15
청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 기판은 그 적어도 일부가 상기 전자 소자의 용례에 맞는 원하는 패턴의 형태로 친수성 표면 처리되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 기판은 그 적어도 일부가 (a-1) 트리클로로에틸렌, 아세톤 및 이소프로필알코올에 의해 연속적으로 세정 처리되거나, (a-2) 산소 플라스마에 의해 처리되거나, 또는 (a-3) 아미노프로필트리에톡시실란(aminopropyltriethoxysilane; APTES)에 의해 처리되어, 친수성 표면으로 처리되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
17 17
청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c)의 단계에 있어서 상기 기판은 상기 Se의 유리 전이점(Tg)과 100℃ 사이의 온도에서 가열되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 (c)의 단계에 있어서 상기 기판은 40~70℃ 범위의 온도에서 가열되는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
19 19
청구항 11 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계 전에 상기 나노 와이어를 Ag, Cd 또는 Pb를 이용하여 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe로 화학적으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
20 20
청구항 19에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe에 대하여 화학적 치환 과정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
21 21
청구항 20에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se를 상기 화학적 치환 과정을 통해 Ag2Te으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부, 교육과학기술부 연세대학교산학협력단 IT 신성장 동력 핵심 기술 개발, 우수연구센터(SRCERC) 나노선 및 나노튜브를 이용한 단일나노 환경센서 개발, ERC/패턴 집적형 능동 폴리머 소재센터/2-4세부