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금속 나노구조의 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015012809
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학적 방법으로 금속 나노구조를 수직으로 자가성장 시키는 방법에 관한 것으로, 상기 성장 방법의 하나의 예로서,패턴화된 전극이 형성된 기판에 금속 시안화물 및 pH 조절제를 포함하는 성장 용액을 가하는 단계; 및전압을 인가하여 금속 나노구조를 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명의 전기화학적 조건으로, 상기 성장 용액의 pH는 8 내지 11 범위일 수 있다. 또한, 평형전위와 전위차가 1 V 이상인 음의 전압을 인가할 수 있다.본 발명에 따른 전기화학적 금속 나노구조의 성장 방법은 템플레이트 및 추가적인 공정을 필요하지 않는 간단한 방법으로, 공정비용을 최소화하며, 공정시간을 단축할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020120078723 (2012.07.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1359878-0000 (2014.01.29)
공개번호/일자 10-2014-0012291 (2014.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20140211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 함승주 대한민국 서울 마포구
2 허용민 대한민국 서울 광진구
3 방도연 대한민국 서울 종로구
4 노영준 대한민국 서울 동대문구
5 장은지 대한민국 서울시 서대문구
6 이택수 대한민국 서울시 서대문구
7 김현욱 대한민국 서울시 서대문구
8 안용희 대한민국 서울시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0577674-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0063331-13
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570465-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0913028-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0913029-24
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0027008-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴화된 전극이 형성된 기판에 금속 시안화물 및 pH 조절제를 포함하는 성장 용액을 가하는 단계; 및평형전위와 전위차가 1
2 2
제 1 항에 있어서,패턴화된 전극은 금(Au)을 포함하는 금속 나노구조의 성장 방법
3 3
제 1 항에 있어서,금속 시안화물은 은, 백금, 금, 구리 및 아연으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속 성분을 함유하는 금속 나노구조의 성장 방법
4 4
제 3 항에 있어서,금속 시안화물은 KAg(CN)2를 포함하는 금속 나노구조의 성장 방법
5 5
제 1 항에 있어서,성장 용액에 함유된 금속 시안화물의 농도는 0
6 6
제 1 항에 있어서,pH 조절제는 Na2CO3를 포함하는 금속 나노구조의 성장 방법
7 7
제 1 항에 있어서,성장 용액의 pH는 8 내지 11 범위인 금속 나노구조의 성장 방법
8 8
제 1 항에 있어서,전압을 인가하여 금속 나노구조를 성장시키는 단계는,3단자 퍼텐쇼스탯을 이용하여 전압을 인가하는 금속 나노구조의 성장 방법
9 9
제 1 항에 있어서,3단자 퍼텐쇼스탯은,작업 전극은 금 전극이고, 상대 전극은 백금 전극이고, 기준 전극은 Ag/AgCl 전극인 금속 나노구조의 성장 방법
10 10
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패밀리정보가 없습니다
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