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저항 메모리 소자 처리 방법 및 그를 이용한 저항 메모리 소자 제조 방법
- 기술번호 : KST2015012851
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명은 저항 메모리 소자 처리 방법 및 그를 이용한 저항 메모리 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 메모리 소자 처리 방법은, 수소 분위기에서 대기압보다 높은 압력으로 25℃보다 높고 300℃보다 낮은 온도에서 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020140034157 (2014.03.24) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1438580-0000 (2014.09.01) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20140917) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.03.24) |
| 심사청구항수 | 29 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김현재 | 대한민국 | 서울특별시 송파구 |
| 2 | 윤두현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
| 3 | 탁영준 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 4 | 정주혜 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 5 | 박성표 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2014.03.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0281101-57 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380519-72 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2014.04.29 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034386-78 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.05.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0316114-07 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.07.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0637588-62 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0752543-38 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.08.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0752544-84 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0582209-52 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 불순물로 도핑된 실리콘 기판을 하부 전극으로 포함하고, 상기 실리콘 기판 위에 형성된 금속 칼코겐 화합물을 절연층으로 포함하는 저항 메모리 소자를, 수소 분위기에서 대기압보다 높은 압력으로 25℃보다 높고 300℃보다 낮은 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물은 금속 산화물을 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 금속 산화물은 니켈 산화물을 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 절연층은 50 내지 60 nm의 두께를 갖는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 절연층은 50 nm의 두께를 갖는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자는, 상기 절연층 위에 형성된 금속 전극을 더 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 금속 전극은 알루미늄을 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자가 배치된 챔버 내에 수소 및 질소 가스를 주입하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 수소 및 질소 가스 중에서 상기 수소의 농도는 1 내지 5%인 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서,상기 수소의 농도는 3%인 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자가 배치된 챔버를 1 atm보다 높고 100 atm보다 낮거나 같은 압력으로 유지하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 챔버를 1 atm보다 높고 100 atm보다 낮거나 같은 압력으로 유지하는 단계는:상기 챔버를 5 내지 40 atm의 압력으로 유지하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 200℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 10 분 내지 3 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 10 분 내지 3 시간 동안 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 처리 방법 |
| 18 |
18 불순물로 도핑된 실리콘 기판을 하부 전극으로 마련하는 단계;상기 실리콘 기판 위에 절연층으로 금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 단계; 및상기 절연층 위에 상부 전극으로 알루미늄 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 단계 및 상기 알루미늄 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나의 단계 후에, 수소 분위기에서 대기압보다 높은 압력으로 25℃보다 높고 300℃보다 낮은 온도에서 상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계를 더 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 19 |
19 삭제 |
| 20 |
20 제 18 항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 단계는:상기 불순물로 도핑된 실리콘 기판 위에 금속 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 21 |
21 제 20 항에 있어서,상기 금속 산화물 박막을 형성하는 단계는:상기 불순물로 도핑된 실리콘 기판 위에 니켈 산화물 박막을 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 22 |
22 제 18 항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 단계는:상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 50 내지 60 nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 형성하는 단계는:상기 금속 칼코겐 화합물 박막을 50 nm의 두께로 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 24 |
24 삭제 |
| 25 |
25 제 18 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자가 배치된 챔버 내에 수소 및 질소 가스를 주입하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서,상기 수소 및 질소 가스 중에서 상기 수소의 농도는 1 내지 5%인 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 27 |
27 제 26 항에 있어서,상기 수소의 농도는 3%인 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 28 |
28 제 18 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자가 배치된 챔버를 1 atm보다 높고 100 atm보다 낮거나 같은 압력으로 유지하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 29 |
29 제 28 항에 있어서,상기 챔버를 1 atm보다 높고 100 atm보다 낮거나 같은 압력으로 유지하는 단계는:상기 챔버를 5 내지 40 atm의 압력으로 유지하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 30 |
30 제 18 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 200℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 31 |
31 제 18 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 10 분 내지 3 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 32 |
32 제 31 항에 있어서,상기 저항 메모리 소자를 10 분 내지 3 시간 동안 열처리하는 단계는:상기 저항 메모리 소자를 1 시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 33 |
33 하부 전극으로 마련된 불순물로 도핑된 실리콘 기판 위에 절연층으로 니켈 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 니켈 산화물 박막 위에 상부 전극으로 알루미늄 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법에 있어서,상기 니켈 산화물 박막을 형성하는 단계 및 상기 알루미늄 전극을 형성하는 단계 중 적어도 하나의 단계 후에, 수소 분위기에서 5 atm의 압력으로 200℃에서 1 시간 동안 상기 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계를 더 포함하는 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 미래창조과학부 | 연세대학교 | 중견연구자지원 | Printed Lab-on-a-Flex (LOF) 구현을 위한 all-in-one 무기 인쇄 소재 개발 |
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1438580-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20140324 출원 번호 : 1020140034157 공고 연월일 : 20140917 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140826 청구범위의 항수 : 29 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 저항 메모리 소자 처리 방법 및 그를 이용한 저항 메모리 소자 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180902 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 588,000 원 | 2014년 09월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 474,600 원 | 2017년 08월 21일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2014.03.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0281101-57 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0380519-72 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2014.04.24 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2014.04.29 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0034386-78 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2014.05.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0316114-07 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.07.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0637588-62 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.08.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0752543-38 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.08.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0752544-84 |
| 9 | 등록결정서 | 2014.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0582209-52 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술번호 | KST2015012851 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 연세대학교 |
| 기술명 | 저항 메모리 소자 처리 방법 및 그를 이용한 저항 메모리 소자 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 저항 메모리 소자 처리 방법 및 그를 이용한 저항 메모리 소자 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 저항 메모리 소자 처리 방법은, 수소 분위기에서 대기압보다 높은 압력으로 25℃보다 높고 300℃보다 낮은 온도에서 저항 메모리 소자를 열처리하는 단계를 포함할 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 반도체, 플래시메모리 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
|---|
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