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산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015012997
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 액상기반의 산화물 반도체 박막 제작 시에 요구되는 500℃ 이상의 고온 열처리 과정을 거치지 않고 350℃ 이하의 저온에서 결정질 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법 및 형성된 산화물 박막을 포함하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 전자 소자, 박막 트랜지스터가 제공된다. 350℃ 이하의 저온에서 용기 내에 가스를 이용한 가압 열처리를 통해 저온에서 결정질 산화물 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020120027875 (2012.03.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1389451-0000 (2014.04.21)
공개번호/일자 10-2013-0106181 (2013.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울 송파구
2 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구
3 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0221303-19
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503379-04
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0029040-34
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0430419-23
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0774438-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0774445-32
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0831183-93
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1197468-82
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1197467-36
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0073811-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 전구체 용액을 기판에 도포하고;가스를 이용한 가압 분위기에서 350℃ 이하의 열처리를 수행하여 결정질 산화물 박막을 형성함을 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 산화물 전구체 용액은 인듐을 포함하는 화합물 및 갈륨을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 열처리는 100~350℃에서 진행되는 결정질 산화물 박막 형성 방법
4 4
청구항 1에서 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 가스를 이용한 가압 분위기는 산소, 질소, 아르곤, 수소 중 적어도 1종 이상의 가스를 이용하여 형성되는 결정질 산화물 박막 형성 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 가압 분위기는40 bar 이하의 압력조건인 결정질 산화물 박막 형성 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 가압 분위기는 5~20 bar 범위의 압력조건인 결정질 산화물 박막 형성 방법
7 7
청구항 1에서 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 가압 분위기는 5~20 bar 범위의 압력조건인 결정질 산화물 박막 형성 방법
8 8
청구항 2에 있어서,상기 산화물 전구체 용액은 질산계 결정화 촉진제를 더 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
9 9
청구항 8에 있어서,상기 질산계 결정화 촉진제는 질산, 암모늄, 질산염 중 적어도 하나를 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
10 10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서,상기 결정화 촉진제는 1몰농도 이하로 포함되는 결정질 산화물 박막 형성 방법
11 11
기판 상에 게이트 전극을 형성하고;상기 기판 상에 산화물 전구체 용액을 기판에 도포하고;가스를 이용한 가압 분위기에서 350℃ 이하의 열처리를 수행하여 결정질 산화물 박막을 형성하고;상기 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성함을 포함하는 박막 트랜지스터 형성 방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 산화물 전구체 용액은 인듐을 포함하는 화합물 및 갈륨을 포함하는 화합물 중 적어도 하나는 포함하는 박막 트랜지스터 형성 방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 가스를 이용한 가압 분위기는 산소, 질소, 아르곤, 수소 중 적어도 1종 이상의 가스를 이용하여 형성되는 박막 트랜지스터 형성 방법
14 14
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,상기 가압 분위기는 5~20 bar 범위의 압력조건인 박막 트랜지스터 형성 방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 산화물 전구체 용액은 질산, 암모늄, 질산염 중 적어도 하나를 포함하는 질산계 결정화 촉진제를 더 포함하는 박막 트랜지스터 형성 방법
16 16
3:1 내지 10:1 몰비의 인듐화합물 및 갈륨화합물을 포함하는 전구체 용액을 기판에 도포하고;가스를 이용한 가압 분위기에서 350℃ 이하의 열처리를 수행하여 결정질 산화물 박막을 형성함을 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
17 17
청구항 16에 있어서,상기 전구체 용액은 질산, 암모늄, 질산염 중 적어도 하나를 포함하는 질산계 결정화 촉진제를 더 포함하는 결정질 산화물 박막 형성 방법
18 18
청구항 16 또는 청구항 17에 있어서,상기 가스를 이용한 가압 분위기는 산소, 질소, 아르곤, 수소 중 적어도 1종 이상의 가스를 이용하여 5~20 bar 범위의 압력조건인 결정질 산화물 박막 형성 방법
19 19
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25 25
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT 기술개발