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실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법 및 그 실리콘 카바이드 웨이퍼

  • 기술번호 : KST2015013041
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 가지 양태에 따라서, 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 금속 기판을 준비하는 단계와, 상기 금속 기판 상에 단층 또는 복층의 형태로 그래핀을 형성하는 단계와, 상기 그래핀이 형성된 기판을 해당 금속을 용해시킬 수 있는 에천트(etchant) 용액에 담지하여, 상기 금속 기판을 제거하고, 상기 용액 상에 상기 그래핀을 부유시키는 단계와, 상기 부유된 그래핀을 미리 준비한 실리콘 카바이드의 두께 방향의 양 표면중 적어도 한 표면에 적재하는 단계와, 상기 그래핀이 적재된 실리콘 카바이드에 대해 베이킹 처리를 수행하여, 잔여 용액을 증발시키고 그래핀과 실리콘 카바이드의 탄소 또는 실리콘과 결합시키는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 카바이드의 마이크로파이프가 상기 그래핀에 의해 덮여, 상기 마이크로파이프에 의한 전기적 단락 부분이 상기 그래핀에 의해 연결되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020120011207 (2012.02.03)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1360774-0000 (2014.02.04)
공개번호/일자 10-2013-0090114 (2013.08.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.03)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최두진 대한민국 서울 강남구
2 김준규 대한민국 서울 마포구
3 김우식 대한민국 충남 천안시 동남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0091398-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044541-04
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0428867-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0756727-91
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0756725-00
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0747701-40
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1147568-33
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1147666-10
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0073521-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법으로서,금속 기판을 준비하는 단계와,상기 금속 기판 상에 단층 또는 복층의 형태로 그래핀을 형성하는 단계와,상기 그래핀이 형성된 기판을 해당 금속을 용해시킬 수 있는 에천트(etchant) 용액에 담지하여, 상기 금속 기판을 제거하고, 상기 용액 상에 상기 그래핀을 부유시키는 단계와,상기 부유된 그래핀을 미리 준비한 실리콘 카바이드의 두께 방향의 양 표면중 적어도 한 표면에 적재하는 단계와,상기 그래핀이 적재된 실리콘 카바이드에 대해 베이킹 처리를 수행하여, 잔여 용액을 증발시키고 그래핀과 실리콘 카바이드의 탄소 또는 실리콘과 결합시키는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 카바이드의 마이크로파이프가 상기 그래핀에 의해 덮여, 상기 마이크로파이프에 의한 전기적 단락 부분이 상기 그래핀에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 그래핀은 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼의 표면에서 Si-C 또는 C-C의 공유 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속 기판 상에 그래핀을 화학적 증착(CVD)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
4 4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속 기판 상에 그래핀을 형성할 때, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기에 대응하여, 상기 그래핀을 단층 또는 복층의 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 13~15 ㎛ 이하인 경우, 상기 그래핀은 단층 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
6 6
청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이하인 경우, 상기 그래핀은 2층 또는 3층의 bi-layer 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
7 7
청구항 4에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이상인 경우, 상기 그래핀은 4층 이상의 multi-layer 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
8 8
실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법으로서,미리 제조한 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이방향 길이를 검사하는 단계와,상기 검사 결과에 따라, 금속 기판 상에 단층 또는 복층의 형태로 그래핀을 형성하는 단계와,상기 그래핀이 형성된 기판을 해당 금속을 용해시킬 수 있는 에천트(etchant) 용액에 담지하여, 상기 금속 기판을 제거하고, 상기 용액 상에 상기 그래핀을 부유시키는 단계와,상기 부유된 그래핀을 미리 준비한 실리콘 카바이드의 두께 방향의 양 표면중 적어도 한 표면에 적재하는 단계와,상기 그래핀이 적재된 실리콘 카바이드에 대해 베이킹 처리를 수행하여, 잔여 용액을 증발시키고 그래핀과 실리콘 카바이드의 탄소 또는 실리콘과 결합시키는 단계를 포함하고, 상기 실리콘 카바이드의 마이크로파이프가 상기 그래핀에 의해 덮여, 상기 마이크로파이프에 의한 전기적 단락 부분이 상기 그래핀에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 그래핀은 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼의 표면에서 Si-C 또는 C-C의 공유 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
10 10
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 13~15 ㎛ 이하인 경우, 상기 그래핀을 단층 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
11 11
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이하인 경우, 상기 그래핀은 2층 또는 3층의 bi-layer 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
12 12
청구항 8 또는 청구항 9에 있어서, 상기 실리콘 카바이드에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이상인 경우, 상기 그래핀은 4층 이상의 multi-layer 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼 제조 방법
13 13
실리콘 카바이드 웨이퍼로서,상기 실리콘 카바이드 웨이퍼 두께 방향 양 표면 중 적어도 한 표면에는 그래핀이 덮여 있으며,상기 그래핀은 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼에 형성된 마이크로파이프를 덮어, 상기 마이크로파이프에 의한 전기적 단락 부분이 상기 그래핀에 의해 연결되어 있고,상기 그래핀은 상기 마이크로파이프의 길이 방향 크기에 따라 단층 또는 복층의 형태로 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼의 표면에 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 그래핀은 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼의 표면에서 Si-C 또는 C-C의 공유 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼
15 15
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 13~15 ㎛ 이하이고, 상기 그래핀은 단층 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼
16 16
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이하이고, 상기 그래핀은 2층 또는 3층의 bi-layer 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼
17 17
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서, 상기 실리콘 카바이드 웨이퍼에 형성된 마이크로파이프의 길이 방향 크기가 30 ㎛ 이상이고, 상기 그래핀은 4층 이상의 multi-layer 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 웨이퍼
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.