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기판 상에 형성되는 하부 전극과;상기 하부 전극 위에 형성되어 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층과;상기 금속 산화물 층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 하부 전극과 금속 산화물 층 사이에 상기 금속 산화물 층보다 낮은 밴드갭 에너지 및 전도대 오프셋(conduction band offset)을 가지며, 계면 스위칭을 야기하지 않는 재료로 형성되는 터널 배리어 산화막을 더 포함하여, 이중 산화막 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 터널 배리어 산화막의 결정화 온도는 500℃ 이상인 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자
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청구항 1에 있어서, 상기 터널 배리어 산화막으로서 Ta2O5, Nb2O5, BaTiO3 또는 BaZrO3을 이용하는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자
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4
청구항 3에 있어서, 상기 금속 산화물 층은 ZrO2, HfO2, SiO2, Al2O3, ZrAlOx, HfAlOx, HfSiOx 또는 La2O를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자는 크로스 포인트 ReRAM 소자 구조에 적용되어, 잠입 전류(sneak current)를 감소시키는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자
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6
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와;상기 하부 전극 위에 저항 스위칭 특성을 나타내는 금속 산화물 층을 형성하는 단계와;상기 금속 산화물 층 상에 상부 전극을 형성하는 단계을 포함하고,상기 하부 전극과 금속 산화물 층 사이에 상기 금속 산화물 층보다 낮은 밴드갭 에너지 및 전도대 오프셋(conduction band offset)을 가지며, 계면 스위칭을 야기하지 않는 재료로 형성되는 터널 배리어 산화막을 형성하여, 이중 산화막 구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 제조 방법
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7
청구항 6에 있어서, 상기 터널 배리어 산화막의 결정화 온도는 500℃ 이상인 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 제조 방법
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8
청구항 6에 있어서, 상기 터널 배리어 산화막으로서 Ta2O5, Nb2O5, BaTiO3 또는 BaZrO3을 이용하는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 금속 산화물 층은 ZrO2, HfO2, SiO2, Al2O3, ZrAlOx, HfAlOx, HfSiOx 또는 La2O를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 선택소자가 없는 비휘발성 저항 스위칭 메모리(ReRAM) 소자 제조 방법
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