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금속산화물 중공 나노입자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015014268
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학기상응축공정에 의하여 나노입자를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 전구체로서 금속 아세틸아세토네이트를 사용하여 기상합성공정에서 보다 쉽고 간단한 방법으로 우수한 특성을 갖는 금속산화물 중공 나노입자를 제조하는 방법 및 이 방법에 의하여 제조된 금속산화물 중공 나노입자를 제공한다.본 발명은 화학기상응축공정에 의하여 금속 산화물 중공나노입자를 제조하는 방법에 있어서, 전구체인 금속 아세틸아세토네이트를 준비하는 단계; 상기와 같이 준비된 금속 아세틸아세토네이트를 그 녹는점이상의 온도에서 기화시키는 단계; 상기와 같이 기화된 금속 아세틸아세토네이트를 반응구역으로 이송시키는 단계; 상기와 같이 반응구역으로 이송된 기상의 금속 아세틸아세토네이트를 열분해시킴과 동시에 산소와의 반응을 통하여 금속산화물 중공 나노입자를 합성하는 단계; 및 상기와 같이 합성된 기상의 금속산화물 중공 나노입자를 응축 및 수집하는 단계를 포함하여 구성되는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법 및 이 방법에 의하여 제조된 금속산화물 중공 나노입자를 그 요지로 한다.전구체, 금속산화물, 중공, 나노입자, 금속 아세틸아세토네이트, 화학기상응축
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020050045219 (2005.05.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0666728-0000 (2007.01.03)
공개번호/일자 10-2006-0122616 (2006.11.30) 문서열기
공고번호/일자 (20070109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.27)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재성 대한민국 서울 강남구
2 이창우 대한민국 경기 안산시 단원구
3 임성순 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0282854-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0020083-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0503230-50
5 의견서
Written Opinion		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0788246-94
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0788247-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0764042-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
화학기상응축공정에 의하여 금속 산화물 중공나노입자를 제조하는 방법에 있어서, 전구체인 금속 아세틸아세토네이트를 준비하는 단계;상기와 같이 준비된 금속 아세틸아세토네이트를 그 녹는점 이상의 온도에서 기화시키는 단계;상기와 같이 기화된 금속 아세틸아세토네이트를 반응구역으로 이송시키는 단계;상기와 같이 반응구역으로 이송된 기상의 금속 아세틸아세토네이트를, 700~1500oC 의 반응온도 및 600 mbar이하의 반응압력에서 열분해시킴과 동시에 산소와의 반응을 통하여 금속산화물 중공 나노입자를 합성하는 단계; 및상기와 같이 합성된 기상의 금속산화물 중공 나노입자를 응축 및 수집하는 단계를 포함하여 구성되는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 금속 아세틸아세토네이트가 철(III) 아세틸아세토네이트(Iron(III) acetylacetonate), 알루미늄 아세틸아세토네이트(Aluminium acetylacetonate), 산화티타늄(IV) 아세틸아세토네이트(Titanium(IV) oxide acetylacetonate), 세륨(III) 아세틸아세토네이트(Cerium(III) acetylacetonate, hydrate), 크롬(III) 아세틸아세토네이트(Chromium(III) acetylacetonate), 코발트(II) 아세틸아세토네이트(Cobalt(II) acetylacetonate), 구리(II) 아세틸아세토네이트(Copper(II) acetylacetonate), 갈륨(III) 아세틸아세토네이트(Gallium(III) acetylacetonate), 망간(III) 아세틸아세토네이트(Manganese(III) acetylacetonate), 철(II) 아세틸아세토네이트(Iron(II) acetylacetonate), 마그네슘 아세틸아세토네이트(Magnesium acetylacetonate, hydrate), 바륨아세틸아세토네이트(Barium acetylacetonate, hydrate), 베릴륨 아세틸아세토네이트(Beryllium acetylacetonate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate, hydrate), 칼슘 아세틸아세토네이트(Calcium acetylacetonate), 세슘 아세틸아세토네이트(Cesium acetylacetonate), 인듐(III) 아세틸아세토네이트(Indium(III) acetylacetonate), 이리듐(III) 아세틸아세토네이트(Iridium(III) acetylacetonate), 란탄늄아세틸아세토네이트(Lanthanum acetylacetonate, hydrate),납(II) 아세틸아세토네이트(Lead(II) acetylacetonate), 리튬 아세틸아세토네이트(Lithium acetylacetonate), 망간(II) 아세틸아세토네이트(Manganese(II) acetylacetonate), 니켈(II) 아세틸아세토네이트(Nickel(II) acetylacetonate), 팔라듐(Palladium(II) acetylacetonate), 플래티늄(II) 아세틸아세토네이트(Platinum(II) acetylacetonate), 로듐(III) 아세틸아세토네이트(Rhodium(III) acetylacetonate), 루비듐 아세틸아세토네이트(Rubidium acetylacetonate), 루테늄(III)아세틸아세토네이트(Ruthenium(III) acetylacetonate), 은 아세틸아세토네이트(Silver acetylacetonate), 바나듐(III) 아세틸아세토네이트(Vanadium(III) acetylacetonate), 바나딜 아세틸아세토네이트(Vanadyl acetylacetonate), 이트륨(III) 아세틸아세토네이트 (Yttrium(III) acetylacetonate, hydrate), 아연 아세틸아세토네이트(Zinc acetylacetonate hydrate), 및 지르코늄(IV) 아세틸아세토네이트(Zirconium(IV) acetylacetonate)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 금속 아세틸아세토네이트는 분말형태로 준비되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 금속 아세틸아세토네이트는 유기용매에 용해되어 슬러리 형태로 준비되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 유기용매가 이소프로필알콜, 에틸알콜, 메틸알콜 및 아세톤 핵산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 슬러리중의 금속 아세틸아세토네이트의 농도가 0
7 7
제1항에서 제6항중의 어느 한 항에 있어서, 기화가 녹는점 + 20∼30℃에서 끓는점 + 20∼30℃까지의 온도 범위에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
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삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 중공나노입자의 평균입경이 100nm이하인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 중공나노입자의 평균입경이 50nm이하인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 금속산화물이 산화철이고; 그리고 그 입도분포범위가 35nm이하인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
13 13
제10항에 있어서, 상기 금속산화물이 이산화티탄이고; 그리고 그 입도분포범위가40nm이하인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 금속산화물이 산화알루미늄이고; 그리고 그 입도분포범위가 20nm이하인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 중공나노입자의 제조방법
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1 US08052958 US 미국 FAMILY
2 US20060269463 US 미국 FAMILY

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1 US2006269463 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8052958 US 미국 DOCDBFAMILY
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