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원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용하여 높은 종횡비를갖는 나노 구조물을 고속으로 형성시키는 방법

  • 기술번호 : KST2015140597
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자력 힘 현미경(atomic force microscope, AFM) 리소그래피를 이용하여 높은 종횡비를 갖는 나노 구조물을 고속으로 형성시키는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탐침과 기판 사이의 분위기 온도를 30 ∼ 100 ℃로 유지시킨 접촉형 또는 반-접촉형 원자력 힘 현미경을 사용하거나 또는 탐침과 기판 사이에 실효치가 1 ∼ 20 V인 교류 바이어스 전압이 인가된 반-접촉형 원자력 힘 현미경을 이용하여 리소그래피를 수행함으로써 종횡비(aspect ratio)가 높은 나노 구조물을 형성시킬 수 있고, 이 방법을 고속 리소그래피에 적용하면 고속으로 종횡비가 높은 나노 구조물을 제작할 수 있는, 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용하여 높은 종횡비를 갖는 나노 구조물을 고속으로 형성시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해 종횡비가 높은 나노 구조물이 촘촘히 배열된 반도체 소자 등의 리소그래피가 가능하고 소자의 소형화 및 AFM 리소그래피의 고속화를 달성할 수 있을 뿐만 아니라 수 nm의 선폭을 유지하면서 에칭 깊이가 증가된 마이크로머신(MEMS) 구조물을 제작할 수 있다. 원자력 힘 현미경, 높은 종횡비, 고온, 교류 바이어스 전압, 고속리소그래피
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020040078809 (2004.10.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0645374-0000 (2006.11.06)
공개번호/일자 10-2006-0029941 (2006.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20061115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.10.04)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이순우 대한민국 서울 성동구
3 박철홍 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0449892-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2006-0012871-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0180133-97
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0378611-06
6 의견서
Written Opinion		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0453402-53
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0632109-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법에 있어서, 탐침과 기판 사이의 분위기 온도를 30 ∼ 100 ℃로 유지시킨 접촉형 또는 반-접촉형 원자력 힘 현미경을 사용하여 상기 기판의 표면에 산화물을 패터닝하는 것을 특징으로 하는, 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
2 2
원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법에 있어서, 탐침과 기판 사이에 실효치가 1 ∼ 20 V인 교류 바이어스 전압이 인가된 반-접촉형 원자력 힘 현미경을 이용하여 상기 기판의 표면에 산화물을 패터닝하는 것을 특징으로 하는, 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 교류 바이어스 전압은 실효치가 1 ∼ 10 V인 것을 특징으로 하는 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판 또는 금속 박막 기판인 것을 특징으로 하는 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
5 5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 레지스트 물질이 증착된 기판인 것을 특징으로 하며, 레지스트 물질은 테트라티아풀바렌(tetrathiafulvalene, TTF), 테트라시아노퀴노디메탄(tetracyanoquinodimethane, TCNQ), 포토 산 제너레이터(photo acid generator, PAG(술폰산염 트리플레이트계)) 또는 옥타데실-트리-클로로실란(octadecyl-tri-chlorosilane, OTS)인 것을 특징으로 하는 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 원자력 힘 현미경의 리소그래피 속도를 100 ∼ 500 ㎛/s로 설정하는 것을 특징으로 하는 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
7 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 원자력 힘 현미경의 리소그래피 속도를 100 ∼ 500 ㎛/s로 설정하는 것을 특징으로 하는 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용한 나노 구조물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.