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금속 나노 입자 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015140896
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 나노 입자 형성 방법이 개시된다. 금속 나노 입자 형성 방법은, 반도체 기판 상에 금속 산화물 박막을 증착하는 단계; 상기 금속 산화물 박막이 형성된 반도체 기판을 열처리하여 비정질 금속 실리콘 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막에 전자빔을 조사하여 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내부에 금속 나노 입자를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하여, 전자빔의 크기, 조사 시간, 조사 위치 등을 조절함으로써 금속 나노 입자의 크기, 밀도, 위치 등을 제어할 수 있고, 금속 나노 입자의 표면에 절연층이 둘러 쌓여 있어 우수한 전하 포획 능력을 가진 금속 나노 입자를 제공할 수 있는 효과가 있다.나노, 절연층, 증착
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/268 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01) H01L 21/02672(2013.01)
출원번호/일자 1020070074785 (2007.07.25)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0011331 (2009.02.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080135652;
심사청구여부/일자 Y (2007.07.25)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 신재원 대한민국 대전광역시 유성구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
4 이정용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0541639-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0027380-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0349846-64
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0598675-80
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0598915-43
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0598956-15
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0606364-76
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0061039-18
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2008.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0899287-05
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0094282-44
13 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2009.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0255497-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 금속 산화물 박막을 증착하는 단계; 상기 금속 산화물 박막이 형성된 반도체 기판을 열처리하여 비정질 금속 실리콘 산화물 박막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막에 전자빔을 조사하여 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내부에 금속 나노 입자를 형성하는 단계를 포함하는 금속 나노 입자 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속 산화물 박막 증착 시, 상기 반도체 기판과 상기 금속 산화물 박막 사이에 실리콘 산화물 박막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
3 3
제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 상기 반도체 기판과 상기 금속 산화물 박막의 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 금속 산화물 박막을 식각하는 단계를 더 포함하는 금속 나노 입자 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내의 금속 입자와 실리콘 산화물이 분리됨으로써 실리콘 산화물에 둘러 쌓인 형태인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 크기, 밀도 및 위치는 상기 전자빔의 초점 크기, 조사 시간 및 조사 위치를 각각 조절함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 금속은 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막의 두께는 상기 열처리 시간을 조절함으로써 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 나노 입자 형성 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막은 Zn2XSi1-YO2, Cu2XSi1-YO2, In2XSi1-YO2, Ag2XSi1-YO2, Sn2XSi1-YO2, Sb2XSi1-YO2, Ni2XSi1-YO2 및 Fe2XSi1-YO2 박막 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 금속 나노 입자 형성 방법
10 10
금속 나노 입자를 포함하는 비정질 금속 실리콘 산화물 박막으로서, 상기 금속 나노 입자는 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막에 전자빔을 조사하여 상기 비정질 금속 실리콘 산화물 박막 내의 금속 입자와 실리콘 산화물이 분리됨으로써 실리콘 산화물에 둘러 쌓인 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 비정질 금속 실리콘 산화물 박막
11 11
제 10항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 금속은 아연(Zn), 구리(Cu), 인듐(In), 은(Ag), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 니켈(Ni) 및 철(Fe) 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 비정질 금속 실리콘 산화물 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.