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저에너지 원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 유기물 및금속 박막의 나노 미세 패턴 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015140645
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저에너지 원자력 힘 현미경(atomic force microscope, AFM) 시스템의 전자 조사 (electron radiation)를 이용하여 유기물 레지스트의 패턴닝 및 식각 단계를 통하여 금속 박막을 패턴닝 하는 것으로서, 더욱 상세하게는 탐침(-)과 기판(+) 사이의 인가된 전기장 (electron field)에서 전자가 유기물 레지스트에 조사 (radiation) 됨에 따라 유기물 레지스트의 물성 변화 및 현상 (develop) 단계를 통한 유기물 레지스트가 패터닝 되고, 그 후 패터닝 된 유기물 레지스트를 바탕으로 금속 박막을 식각 하는 금속 박막의 패턴 제조에 관한 것이며, 본 발명은 낮은 에너지의 전자 조사 (electron exposure)를 통하여 패턴의 손상을 최소화 할 수 있으며, 또한 수 nm의 선폭의 유기물의 패터닝 및 금속 박막의 패터닝을 통하여 소자의 소형화와 고집적화를 이룩할 수 있는 저에너지 원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 유기물 및 금속 박막의 나노 미세 패턴 제조 방법에 관한 것이다.원자력 힘 현미경, 전자 조사, 패턴
Int. CL H01L 21/027 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/0272(2013.01) H01L 21/0272(2013.01) H01L 21/0272(2013.01) H01L 21/0272(2013.01)
출원번호/일자 1020050090077 (2005.09.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0626408-0000 (2006.09.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이순우 대한민국 서울 성동구
3 표얼 대한민국 서울 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0543135-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.07.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0048485-96
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0504649-44
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 박막 미세 패턴 제조 방법에 있어서,기판 위에 유기물 레지스트 도포 단계;상기 도포된 유기물 레지스트를 습도 1 ~ 10 % 조건하에서, 1 ~ 50 V전압, 1
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기판은 반도체 제조 공정에서 기판 물질로 유기물이 도포된 실리콘 기판, 탄탈, 티탄을 포함하는 모든 금속 박막, 및 규산화물, 탄탈화물, 티탄화물인 옥사이드계의 세라믹 소재 박막인 것을 특징으로 하는 저에너지 원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 유기물 및 금속 박막의 나노 미세 패턴 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 유기물 레지스트는 PMMA, 네커티브 포토레지스트 및 자기 조립체 분자막 인 것을 특징으로 하는 저에너지 원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 유기물 및 금속 박막의 나노 미세 패턴 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.