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게르마늄이 도핑된 InZnO 활성층을 적용한 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015015131
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 산화물 박막 트랜지스터에 있어서, 기판; 상기 기판상에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극상에 형성된 절연체층; 상기 절연체층상에 형성되고 적층구조로 이루어진 제1 활성층박막 및 제2 활성층박막을 포함하는 활성층; 및 상기 활성층과 연결된 소스전극 및 드레인전극을 포함하며, 상기 제1 활성층박막은 InZnO를 포함하고, 상기 제2 활성층박막은 게르마늄이 도핑된 InZnO를 포함하는 산화물 박막 트랜지스터가 개시된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020140126721 (2014.09.23)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1669723-0000 (2016.10.20)
공개번호/일자 10-2016-0035304 (2016.03.31) 문서열기
공고번호/일자 (20161026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문석 대한민국 부산광역시 금정구
2 임용진 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0901808-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0046752-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0824182-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-1226549-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1226521-54
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0154131-97
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0408914-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0408930-49
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0700540-65
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극상에 형성된 절연체층;상기 절연체층상에 형성되고 제2 활성층박막을 포함하는 활성층; 및 상기 활성층과 연결된 소스전극 및 드레인전극을 포함하며,상기 제2 활성층박막은 게르마늄이 도핑된 InZnO를 포함하고,상기 제2 활성층박막 상부 또는 하부에서 상기 제2 활성층박막과 적층구조를 이루는 InZnO를 포함하는 제1 활성층박막을 더 포함하는,산화물 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
절연체층 상에 제1 활성층박막 및 제2 활성층박막을 포함한 활성층이 형성된 산화물 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서,하나의 챔버부 내에 게르마늄 포함 타겟, InZnO 타겟 및 상기 제1 활성층박막 및 제2 활성층박막이 증착되는 절연체층이 형성된 게이트 전극 기판을 준비하는 단계;InZnO를 포함하는 상기 제1활성층박막을 형성하기 위해 상기 InZnO 타겟에 전력을 인가하는 제1 스퍼터링 단계;상기 제1 스퍼터링 단계 전 또는 후에 게르마늄이 도핑된 InZnO를 포함하는 상기 제2 활성층박막을 형성하기 위해 상기 게르마늄을 포함한 타겟 및 상기 InZnO 타겟에 동시에 전력을 인가하는 제2 스퍼터링 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제4항에 있어서,상기 게르마늄 포함 타겟은 GeO2 타겟인,산화물 박막 트랜지스터 제조방법
8 8
제4항에 있어서, 상기 게르마늄 포함 타겟에 인가되는 전력은 0W초과 10W이하인,산화물 박막 트랜지스터 제조방법
9 9
제4항에 있어서,상기 챔버부 내 산소 분압은 2 내지 4%인,산화물 박막 트랜지스터 제조방법
10 10
제4항에 있어서,상기 게르마늄 포함 타겟에 인가되는 전력은 상기 InZnO 타겟에 인가되는 전력의 1/5 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는,산화물 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.