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크랙 감소를 위한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법

  • 기술번호 : KST2015022564
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 크랙 감소를 위한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 위 GaN 성장방법은 분자선 에피탁시 장치의 성장챔버를 통하여 N 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 기판에 증착시켜 제1 금속 N 화합물층을 형성시키는 1단계; 제1 금속 N 화합물층 상에 금속 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 증착시켜 제2 금속 N 화합물층을 형성시키는 2단계; 제2 금속 N 화합물층 상에 마그네슘(Mg)이 도핑되고 N 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제1 GaN층을 형성시키는 3단계; 및 제1 GaN층 상에 Ga 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제2 GaN층을 형성시키는 4단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130167983 (2013.12.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1517808-0000 (2015.04.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.31)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노정현 대한민국 경기 성남시 분당구
2 한철구 대한민국 경기도 가평군
3 송홍주 대한민국 경기 수원시 영통구
4 이준호 대한민국 경기도 군포시 금산로 산본 래이안 하이어스 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이일희 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1209272-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0032971-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0720713-56
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1241497-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1241501-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0254522-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
분자선 에피탁시 장치의 성장챔버를 통하여 N 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 기판에 증착시켜 제1 금속 N 화합물층을 형성시키는 1단계;상기 제1 금속 N 화합물층 상에 금속 플럭스 과잉 상태의 금속 N 화합물을 증착시켜 제2 금속 N 화합물층을 형성시키는 2단계;상기 제2 금속 N 화합물층 상에 N 플럭스 과잉 상태의 금속 GaN 화합물을 증착시켜서 금속 GaN 화합물층을 형성시키는 버퍼층 형성단계;상기 금속 GaN 화합물층 상에 Ga 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제1 GaN 기능층을 형성시키는 단계;제1 GaN 기능층 상에 마그네슘(Mg)이 도핑되고 N 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제1 GaN층을 형성시키는 3단계; 상기 제1 GaN층 상에 Ga 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제2 GaN층을 형성시키는 4단계; 상기 제2 GaN층 상에 마그네슘(Mg)이 도핑되고 N 플럭스 과잉 상태의 GaN을 증착시켜 제3 GaN층을 형성시키는 단계; 및 상기 제3 GaN층 상에 GaN을 증착시켜 제2 GaN 기능층을 형성시키는 단계를 포함하는 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
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청구항 1에 있어서,상기 금속 GaN 화합물층은 상기 금속과 Ga의 조성비가 다른 복수의 층을 포함하는 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 금속 N 화합물층은 N 플럭스 과잉 상태의 금속 GaN 화합물층이고, 제2 금속 N 화합물층은 금속 과잉 상태의 금속 GaN 화합물층인 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 금속 N 화합물 또는 금속 GaN 화합물에 적용되는 금속은 Al인 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
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청구항 1에 있어서,상기 제2 GaN 기능층 상에 비의도적 도핑된(Unintentional doped, UID) GaN층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 전자부품연구원 전력산업원천기술개발 사업 계통연계형 인버터를 위한 고효율 GaN 전력소자 기반기술개발