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박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2015050631
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일실시 예에 따른 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법은, 표본 입력 값 및 표본 출력 값을 포함하는 표본 데이터를 입력받는 단계; 상기 표본 데이터에 상응하여 모델링 변수를 조정하는 단계; 상기 조정된 모델링 변수에 상응하여 전류 모델 값을 계산하는 단계; 상기 계산된 전류 모델 값과 상기 표본 출력 값의 차이 값이 미리 설정된 기준 값보다 작은 경우에는 상기 조정된 모델링 변수를 전류 모델에 적용하여 전류 모델을 피팅(fitting)하는 단계; 상기 피팅된 전류 모델에 실제 입력 데이터를 입력하는 단계; 및 상기 실제 입력 데이터에 상응하여 결과치를 출력하는 단계를 포함하되, 상기 전류 모델은 식(IDS = Ileak + ( 1/Ib + 1/Ia )-1 )에 의하여 드레인-소스 전류(IDS)를 계산한다. 여기서, Ileak 는 박막 트랜지스터의 누설 전류, Ib 는 문턱 전압(threshold voltage) 이하의 영역에서 계산되는 소스-드레인 전류 값인 제 1 전류 값, Ia 는 문턱 전압 이상의 영역에서 계산되는 소스-드레인 전류 값인 제 2 전류 값이다. 상기와 같은 본 발명에 의하면, 산화물 TFT 뿐만 아니라 비결정질 실리콘 TFT 및 유기 TFT 에도 적용될 수 있는 정밀한 전류 모델을 제공할 수 있는 이점이 있다. TFT 모델, 드레인-소스 전류, 산화물 TFT
Int. CL G06F 17/50 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132724 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0938675-0000 (2010.01.18)
공개번호/일자 10-2009-0065246 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신재헌 대한민국 대전 서구
2 황치선 대한민국 대전 대덕구
3 유민기 대한민국 서울 노원구
4 정우석 대한민국 대전 유성구
5 추혜용 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0907554-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0080221-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0352343-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0636760-89
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0636755-50
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0017146-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표본 입력 값 및 표본 출력 값을 포함하는 표본 데이터를 입력받는 단계; 상기 표본 데이터에 상응하여 모델링 변수를 조정하는 단계; 상기 조정된 모델링 변수에 상응하여 전류 모델 값을 계산하는 단계; 상기 계산된 전류 모델 값과 상기 표본 출력 값의 차이 값이 미리 설정된 기준 값보다 작은 경우에는 상기 조정된 모델링 변수를 전류 모델에 적용하여 전류 모델을 피팅(fitting)하는 단계; 상기 피팅된 전류 모델에 실제 입력 데이터를 입력하는 단계; 및 상기 실제 입력 데이터에 상응하여 결과치를 출력하는 단계를 포함하되, 상기 전류 모델은 하기의 수학식으로 표현되는 모델링 공식을 사용하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 유기물 반도체, 산화물 반도체 및 비정실 실리콘 반도체 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 표본 입력값은 특정 드레인 전압 및 특정 게이트 전압이고 표본 출력값은 상기 표본 입력값에 상응하여 측정되는 특정 소스-드레인 전류인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 제 1 전류 값은 하기의 수학식에 의하여 계산되는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제 2 전류 값은 하기의 수학식에 의하여 계산되는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 방법
7 7
표본 입력 값 및 표본 출력 값을 포함하는 표본 데이터를 입력받는 표본 데이터 입력부; 상기 표본 데이터에 상응하여 모델링 변수를 조정하는 변수 조정부; 상기 조정된 모델링 변수에 상응하여 전류 모델 값을 계산하는 모델 계산부; 상기 계산된 전류 모델 값과 상기 표본 출력 값의 차이 값을 계산하는 에러 계산부; 상기 차이 값과 미리 설정된 기준 값을 비교하여 상기 차이 값이 상기 기준 값보다 작다면 상기 조정된 모델링 변수를 확정하는 에러 판단부; 상기 에러 판단부에서 확정된 모델링 변수를 상기 전류 모델에 적용하는 모델 적용부; 및 상기 적용된 전류 모델에 실제 입력 데이터를 입력하고, 상기 실제 입력 데이터에 상응하여 결과치를 출력하는 결과치 출력부를 포함하되, 상기 전류 모델은 하기의 수학식으로 표현되는 모델링 공식을 사용하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 장치
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 유기물 반도체, 산화물 반도체 및 비정실 실리콘 반도체 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 장치
11 11
제7항에 있어서, 상기 표본 입력값은 특정 드레인 전압 및 특정 게이트 전압이고 표본 출력값은 상기 표본 입력값에 상응하여 측정되는 특정 소스-드레인 전류인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 장치
12 12
제7항에 있어서, 상기 제 1 전류 값은 하기의 수학식에 의하여 계산되는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 장치
13 13
제7항에 있어서, 상기 제 2 전류 값은 하기의 수학식에 의하여 계산되는 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류 모델링 장치
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4 US20090157372 US 미국 FAMILY

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2 JP5131846 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2009157372 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8095343 US 미국 DOCDBFAMILY
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