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반응성 스퍼터링 증착 장치

  • 기술번호 : KST2015083622
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반응성 스퍼터링 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응 기체를 효과적으로 이온화하기 위해 유도결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma, ICP)를 사용하는 반응성 스퍼터링 증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반응성 스퍼터링 증착 장치는 플라즈마 기체를 내부로 유입하는 유입구 및 반응성 스퍼터링 증착에 사용된 기체를 외부로 배기하는 배기구를 구비하는 챔버; 상기 챔버의 상부에 위치하고 반응 기체를 이온화하여 상기 챔버의 내부에 주입하는 ICP 생성기; 및 상기 챔버의 측면에 위치하고 타겟을 지지하는 적어도 하나 이상의 스퍼터 건로 구성된다. 본 발명은 유도결합 플라즈마를 이용하여 반응 기체의 이온화율을 향상시킴으로써, 공정의 온도를 낮출 수 있고 비교적 적은 비용으로도 박막 증착의 균일성 및 스텝 커버리지을 향상시킬 수 있다.반응성 스퍼터링, 스퍼터링 장치, ICP
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070114365 (2007.11.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0881954-0000 (2009.01.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.09)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우석 대한민국 대전시 유성구
2 황치선 대한민국 대전시 대덕구
3 유민기 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-0806128-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0042767-06
4 등록결정서
Decision to grant
2009.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0035134-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
반응 기체를 이용하여 기판상에 반응성 스퍼터링 증착을 수행하는 장치에 있어서,플라즈마 기체를 내부로 유입하는 유입구 및 상기 반응성 스퍼터링 증착에 사용된 기체를 외부로 배기하는 배기구를 구비하는 챔버;상기 챔버의 상부에 위치하고 상기 반응 기체를 이온화하여 상기 챔버의 내부에 주입하는 ICP 생성기; 및상기 챔버의 측면에 위치하고 타겟을 지지하는 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 ICP 생성기의 하부에 위치하고 상기 ICP 생성기 및 상기 기판 간의 수직 거리를 조정하는 벨로즈를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 ICP 생성기는 3
4 4
제 1항에 있어서,상기 ICP 생성기의 하부에 위치하고 상기 유입구로부터 유입되는 상기 플라즈마 기체를 상기 ICP 생성기와 차단하는 차단막을 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
5 5
제 4항에 있어서,상기 차단막은 상기 ICP 생성기의 직경보다 120% 내지 200% 큰 직경을 가지는 원통 형태로 형성되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
6 6
제 4항에 있어서,상기 차단막은 알루미나를 포함하는 세라믹 재질로 코팅되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
7 7
제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 기울기는 상기 기판의 수직방향을 기준으로 0도 내지 45도의 각도로 조정되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 챔버의 측면에 위치하고 일 측은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 지지하고 타 측은 상기 챔버의 측벽을 관통하여 외부로 연결되는 스퍼터 건 지지대를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
9 9
제 8항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건 간의 거리는 상기 스퍼터 건 지지대를 이용하여 조절되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
10 10
제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 상부에 고정되고 상기 ICP 생성기에 의해 이온화된 상기 반응 기체로부터 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 보호하는 건 셔터를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
11 11
제 10항에 있어서,상기 건 셔터는 스테인레스로 구성되거나 세라믹 재질로 코팅되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
12 12
제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건은 서로 상이한 종류의 타겟을 지지하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
13 13
제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 길이는 상기 기판의 직경보다 10% 내지 50% 큰 반응성 스퍼터링 증착 장치
14 14
제 1항에 있어서,상기 챔버의 하부에 위치하고 상기 기판을 고정하는 기판 지지대를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
15 15
제 14항에 있어서,상기 기판 지지대는 상하로 이동하거나 회전하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
16 16
제 1항에 있어서,상기 기판의 상부에 위치하고 상기 플라즈마 기체를 상기 기판과 차단하는 기판 셔터를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
17 17
제 1항에 있어서,상기 타겟은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 전면에서 상하로 이동하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
18 18
제 17항에 있어서,상기 타겟은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건보다 10% 내지 20% 큰 반응성 스퍼터링 증착 장치
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