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반응 기체를 이용하여 기판상에 반응성 스퍼터링 증착을 수행하는 장치에 있어서,플라즈마 기체를 내부로 유입하는 유입구 및 상기 반응성 스퍼터링 증착에 사용된 기체를 외부로 배기하는 배기구를 구비하는 챔버;상기 챔버의 상부에 위치하고 상기 반응 기체를 이온화하여 상기 챔버의 내부에 주입하는 ICP 생성기; 및상기 챔버의 측면에 위치하고 타겟을 지지하는 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서, 상기 ICP 생성기의 하부에 위치하고 상기 ICP 생성기 및 상기 기판 간의 수직 거리를 조정하는 벨로즈를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 ICP 생성기는 3
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제 1항에 있어서,상기 ICP 생성기의 하부에 위치하고 상기 유입구로부터 유입되는 상기 플라즈마 기체를 상기 ICP 생성기와 차단하는 차단막을 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 4항에 있어서,상기 차단막은 상기 ICP 생성기의 직경보다 120% 내지 200% 큰 직경을 가지는 원통 형태로 형성되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 4항에 있어서,상기 차단막은 알루미나를 포함하는 세라믹 재질로 코팅되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 기울기는 상기 기판의 수직방향을 기준으로 0도 내지 45도의 각도로 조정되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 챔버의 측면에 위치하고 일 측은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 지지하고 타 측은 상기 챔버의 측벽을 관통하여 외부로 연결되는 스퍼터 건 지지대를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 8항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건 간의 거리는 상기 스퍼터 건 지지대를 이용하여 조절되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 상부에 고정되고 상기 ICP 생성기에 의해 이온화된 상기 반응 기체로부터 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건을 보호하는 건 셔터를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 10항에 있어서,상기 건 셔터는 스테인레스로 구성되거나 세라믹 재질로 코팅되는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건은 서로 상이한 종류의 타겟을 지지하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 길이는 상기 기판의 직경보다 10% 내지 50% 큰 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 챔버의 하부에 위치하고 상기 기판을 고정하는 기판 지지대를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 14항에 있어서,상기 기판 지지대는 상하로 이동하거나 회전하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 기판의 상부에 위치하고 상기 플라즈마 기체를 상기 기판과 차단하는 기판 셔터를 더 포함하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 1항에 있어서,상기 타겟은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건의 전면에서 상하로 이동하는 반응성 스퍼터링 증착 장치
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제 17항에 있어서,상기 타겟은 상기 적어도 하나 이상의 스퍼터 건보다 10% 내지 20% 큰 반응성 스퍼터링 증착 장치
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