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진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015084045
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 저일함수 물질로 이루어진 평면형 캐소드층 또는 저일함수 물질로 이루어진 방열층을 구비하는 평면형 캐소드층을 포함하는 진공 채널 트랜지스터와 상기의 트랜지스터를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 진공 채널 트랜지스터는, 게이트층에 낮은 전압을 걸어주어도 전자를 방출할 수 있고, 애노드층의 전압이 캐소드층의 전자 방출에 미치는 영향이 적으며, 방출전류의 불안정성이 제거되어 동작의 안정성을 확보할 수 있다. 트랜지스터, 진공 채널, 반도체 소자, 국부미소가열전극
Int. CL	H01L 29/00 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
CPC	H01J 1/3042(2013.01)
출원번호/일자	1020080021064 (2008.03.06)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0934228-0000 (2009.12.18)
공개번호/일자	10-2009-0056771 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자	(20091229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020070123121 \| 2007.11.30
법적상태	등록
심사진행상태	보정승인간주
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2008.03.06)
심사청구항수	15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김대용	대한민국	대전 중구
2	김현탁	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인씨엔에스	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	대한민국(산업통상자원부장관)		세종특별자치시 한누리대

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-0165829-81
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2009.04.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2009.05.15	수리 (Accepted)	9-1-2009-0030442-82
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2009.08.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0323001-48
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2009.09.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0583225-42
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2009.09.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0583226-98
8	등록결정서 Decision to grant	2009.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0490968-34
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 상부 기판의 하부 면에 애노드층을 형성하는 상부 구조체; 및 하부 기판의 상부 면에 이격하여 캐소드층 및 게이트층을 형성하고, 상기 하부 기판 및 상기 캐소드층 사이에 공동을 형성하는 하부 구조체를 포함하며, 상기 캐소드층은 저일함수 물질로 형성되며, 상기 캐소드층이 일부 식각되어 상기 캐소드층과 단을 이루도록 형성되는 국부미소가열전극 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 상부 구조체 및 하부 구조체가 이격되도록 지지하는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
3	3 삭제
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 국부미소가열전극 영역은 일측 및 타측으로부터 번갈아 홈이 파여진 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드층의 상부에 저일함수 물질로 이루어진 방열층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 저일함수 물질은 다이아몬드, 유사 다이아몬드 카본(Diamond-like Carbon; DLC) 및 산화바륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 게이트층의 상부에 이격하여 하나 이상의 제어 게이트층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
8	8 상부 기판의 하부 면에 애노드층을 형성하는 상부 구조체; 및 하부 기판의 상부 면에 이격하여 캐소드층 및 게이트층을 형성하고, 상기 하부 기판 및 상기 캐소드층 사이에 공동을 형성하는 하부 구조체를 포함하며, 상기 캐소드층의 상부에 저일함수 물질로 이루어진 방열층을 더 형성하며, 상기 캐소드층은, 상기 캐소드층이 일부 식각되어 상기 캐소드층과 단을 이루도록 형성되는 국부미소가열전극 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 상부 구조체 및 하부 구조체가 이격되도록 지지하는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
10	10 삭제
11	11 제 8 항에 있어서, 상기 국부미소가열전극 영역은 일측 및 타측으로부터 번갈아 홈이 파여진 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
12	12 제 8 항에 있어서, 상기 저일함수 물질은 다이아몬드, 유사 다이아몬드 카본(Diamond-like Carbon; DLC) 및 산화바륨으로 이루어진 그룹에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 게이트층의 상부에 이격하여 하나 이상의 제어 게이트층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터
14	14 상부 기판의 하부 면에 애노드층을 형성하여 상부 구조체를 형성하는 단계; 하부 기판의 상부 면에 이격하여 캐소드층 및 게이트층을 형성하여 하부 구조체를 형성하는 단계; 상기 캐소드층을 일부 식각하여 상기 캐소드층과 단을 이루는 국부미소가열전극 영역을 형성하는 단계; 상기 하부 기판 및 상기 캐소드층 사이에 공동을 형성하는 단계; 및 상기 상부 구조체 및 상기 하부 구조체를 이격 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터 제조방법
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 캐소드층은 저일함수 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터 제조방법
16	16 삭제
17	17 제 14 항에 있어서, 상기 캐소드층의 상부에 저일함수 물질로 이루어진 방열층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터 제조방법
18	18 제 14 항에 있어서, 상기 게이트층의 상부에 이격하여 하나 이상의 제어 게이트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 채널 트랜지스터 제조방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08159119	US	미국	FAMILY
2	US20090140626	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2009140626	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8159119	US	미국	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0934228-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080306 출원 번호 : 1020080021064 공고 연월일 : 20091229 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091127 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 29/78 발명의 명칭 : 진공 채널 트랜지스터 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
2	(의무자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구...
2	(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2009년 12월 21일	납입
제 4 - 19 년분	금 액	0 원	2012년 09월 19일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.03.06	수리 (Accepted)	1-1-2008-0165829-81
2	선행기술조사의뢰서	2009.04.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2009.05.15	수리 (Accepted)	9-1-2009-0030442-82
4	의견제출통지서	2009.08.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0323001-48
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	[명세서등 보정]보정서	2009.09.23	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2009-0583225-42
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2009.09.23	수리 (Accepted)	1-1-2009-0583226-98
8	등록결정서	2009.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2009-0490968-34
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415100603
세부과제번호	KI001920
연구과제명	전기적점프를이용한신소자기술
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2009
연구기간	200803~201102
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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