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참조 게이트 전압 값 및 참조 드레인 전류 값을 이용하여, 게이트, 소스, 및 드레인을 포함하는 트랜지스터의 채널층의 참조 모빌리티 값들을 추출하는 단계;상기 참조 모빌리티 값들에 모델링 변수들을 갖는 모빌리티 함수를 피팅시켜(fit), 모델링 변수들을 추출하는 단계; 및상기 모델링 변수들을 드레인 전류 모델링 함수에 대입하여, 상기 게이트에 인가되는 임의의 게이트 전압 값 및 상기 드레인에 인가되는 임의의 드레인 값에 따라, 상기 소스 및 드레인 사이에 흐르는 드레인 전류 값을 계산하는 단계를 포함하는 트랜지스터의 모델링 방법
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제1 항에 있어서, 상기 모빌리티 함수는 이고, 상기 Ka, Kb, α, 및 β는 상기 모델링 변수들이고, 상기 Vgate는 상기 게이트에 인가되는 전압 값으로 상기 참조 게이트 전압 값이고, 상기 Von은 상기 트렌지스터의 턴온(turn on) 전압 값이고, 상기 μ은 상기 모델링 변수들, 상기 참조 게이트 전압 값, 및 상기 트랜지스터의 턴 온 전압 값에 의해 계산된 상기 채널층의 모빌리티 값인 트랜지스터의 모델링 방법
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제2 항에 있어서, 상기 드레인 전류 모델링 함수는 이고, 상기 Id는 상기 드레인 전류 값이고, 상기 Vg는 상기 임의의 게이트 전압 값이고, 상기 Vd는 상기 임의의 드레인 전압 값이고, 상기 L은 상기 채널층의 길이 값이고, 상기 W는 상기 채널층의 폭 값이고, 상기 C는 상기 트랜지스터의 게이트 절연막의 커패시턴스 값인 트랜지스터의 모델링 방법
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제3 항에 있어서, 상기 모델링 변수들을 포함하는 모델링 변수 세트는 상기 채널층의 물질의 종류에 따라, 상기 모빌리티 함수를 이용하여 복수로 추출하는 단계; 및, 상기 복수의 모델링 변수 세트들을 저장하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 모델링 방법
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제4 항에 있어서,상기 복수의 모델링 변수 세트들 중에서, 어느 하나를 선택하는 단계를 더 포함하되, 상기 드레인 전류 값은, 상기 선택된 모델링 변수 세트를 이용하여 계산되는 트랜지스터의 모델링 방법
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제1 항에 있어서, 상기 참조 모빌리티 값들은, 의 수식을 이용하여 추출되고, 상기 μr는 상기 참조 모빌리티 값들이고, 상기 L은 상기 채널층의 길이 값이고, 상기 W는 상기 채널층의 폭 값이고, 상기 Ir은 상기 참조 드레인 전류 값이고, 상기 C는 상기 트랜지스터의 게이트 절연막의 커패시턴스 값이고, 상기 Vgr은 상기 참조 게이트 전압 값이고, 상기 Von은 상기 트랜지스터의 턴온(turn on) 전압 값이고, 상기 Vdr는 상기 참조 드레인 전압 값인 트랜지스터의 모델링 방법
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제6 항에 있어서, 상기 참조 드레인 전압 값은 약 0
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제1 항에 있어서, 상기 참조 모빌리티 값들을 추출하기 전, 상기 참조 게이트 전압 값을 상기 게이트에 인가하여, 상기 소스 및 드레인 사이에 흐르는 상기 참조 드레인 전류 값을 측정하는 단계를 더 포함하는 트랜지스터의 모델링 방법
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제1 항에 있어서,상기 트랜지스터는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)를 포함하는 트랜지스터의 모델링 방법
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제1 항에 있어서, 상기 트랜지스터의 상기 채널층은 비정질 상태인 트랜지스터의 모델링 방법
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제1 항에 있어서, 상기 트랜지스터의 상기 채널층은 유기물 또는 산화물을 포함하는 트랜지스터의 모델링 방법
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게이트, 소스, 및 드레인을 포함하는 트랜지스터의 상기 게이트에 인가되는 참조 게이트 전압 값 및 상기 참조 게이트 전압 값에 따라 상기 소스 및 드레인 사이에 흐르는 참조 전류 값을 이용하여, 상기 트랜지스터의 채널층의 참조 모빌리티 값들을 추출하는 참조 모빌리티 추출부;상기 참조 모빌리티 값들에 모델링 변수들을 갖는 모빌리티 함수를 피팅시켜(fit), 상기 모델링 변수들의 값들을 추출하는 피팅부(fitting unit); 및상기 게이트에 인가되는 임의의 게이트 전압 값, 상기 드레인에 인가되는 임의의 드레인 전압 값, 및 상기 모델링 변수들을 드레인 전류 모델링 함수에 대입하여, 상기 소스 및 드레인 사이에 흐르는 드레인 전류 값을 계산하는 드레인 전류 모델링부를 포함하는 트랜지스터의 모델링 장치
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제12 항에 있어서, 상기 드레인 전류 모델링부는 상기 드레인 전류 모델링 함수에, 상기 채널층의 길이 값, 상기 채널층의 폭 값, 상기 트랜지스터의 게이트 절연막의 커패시턴스 값, 상기 드레인에 인가되는 참조 드레인 전압 값, 및 상기 트랜지스터의 턴온(turn on) 전압 값을 더 대입하는 트랜지스터의 모델링 장치
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제13 항에 있어서, 상기 피팅부는, 을 상기 참조 모빌리티 값들에 피팅시켜, 상기 모델링 변수들을 추출하되, 상기 Ka, Kb, α, 및 β는 상기 모델링 변수들이고, 상기 Vgate는 상기 게이트에 인가되는 전압 값으로 상기 참조 게이트 전압 값이고, 상기 Von은 상기 트렌지스터의 턴온(turn on) 전압 값이고, 상기 μ은 상기 모델링 변수들, 상기 참조 게이트 전압 값, 및 상기 트랜지스터의 턴 온 전압 값에 의해 계산된 상기 채널층의 모빌리티 값들이고, 상기 드레인 전류 모델링 함수는 이고, 상기 Id는 상기 드레인 전류 값이고, 상기 Vg는 상기 임의의 게이트 전압 값이고, 상기 Vd는 상기 임의의 드레인 전압 값이고, 상기 L은 상기 채널층의 길이 값이고, 상기 W는 상기 채널층의 폭 값이고, 상기 C는 상기 트랜지스터의 상기 게이트 절연막의 커패시턴스 값이고, 상기 Von은 상기 트랜지스터의 턴온(turn on) 전압 값인 트랜지스터의 모델링 장치
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제14 항에 있어서, 상기 트랜지스터는 복수로 제공되고, 상기 복수의 트랜지스터들은 서로 다른 물질로 형성된 채널층들을 가지고, 상기 참조 모빌리티 추출부 및 상기 피팅부는 상기 채널층의 물질들의 종류에 따라서, 상기 트랜지스터들의 상기 모델링 변수들을 포함하는 모델링 변수 세트들을 추출하는 트랜지스터의 모델링 장치
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제15 항에 있어서,상기 복수의 모델링 변수 세트들이 저장되는 메모리를 더 포함하는 트랜지스터의 모델링 장치
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