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에피택셜 구조 상에 형성된 캡핑층;상기 캡핑 층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극과 상기 캡핑층의 전면을 따라 계단 형태로 형성된 다층 절연 패턴;상기 다층 절연 패턴 및 상기 캡핑층을 관통하여 상기 에피택셜 구조와 접하는 T형 게이트; 및상기 T형 게이트 및 상기 다층 절연 패턴의 전면을 따라 형성된 보호막을 포함하는 고주파 소자
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제1항에 있어서,상기 T형 게이트는 헤드부 및 상기 헤드부와 연결되고 상기 헤드부 보다 좁은 폭을 갖는 테일부를 포함하고, 상기 테일부는 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 고주파 소자
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제1항에 있어서,상기 에피택셜 구조는 기판 및 상기 기판 상에 차례로 적층된 버퍼층, 채널층 및 쇼트키층을 포함하는고주파 소자
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제3항에 있어서,상기 기판은 SiC 기판이고, 상기 버퍼층은 AlN을 포함하고, 상기 채널층은 언도프드 GaN을 포함하고, 상기 쇼트키층은 언도프드 AlGaN을 포함하고, 상기 캡핑층은 언도프드 GaN을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극은 오믹 금속을 포함하는고주파 소자
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제1항에 있어서,상기 다층 절연 패턴은 차례로 적층된 제1 산화막, 질화막 및 제2 산화막을 포함하는 고주파 소자
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제1항에 있어서,상기 보호막은 알루미늄 산화막(Al2O3)을 포함하는고주파 소자
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에피택셜 구조 상에, 캡핑층을 형성하는 단계;상기 캡핑 층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극과 상기 캡핑층의 전면을 따라 계단 형태의 다층 절연 패턴을 형성하는 단계;상기 캡핑층 및 상기 다층 절연 패턴을 관통하여 상기 에피택셜 구조와 접하는 T형 게이트를 형성하는 단계; 및상기 T형 게이트 및 상기 다층 절연 패턴의 전면을 따라 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 고주파 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 다층 절연 패턴을 형성하는 단계는,상기 소스 및 드레인 전극과 상기 캡핑층을 일부 덮는 제1 산화막을 형성하는 단계;상기 캡핑층 및 상기 제1 산화막의 전면을 따라 질화막을 형성하는 단계;상기 질화막의 전면을 따라 제2 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 질화막이 노출되도록 상기 제2 산화막을 일부 식각하는 단계를 더 포함하는 고주파 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 T형 게이트를 형성하는 단계는,상기 다층 절연 패턴 상에, T형의 개구부를 갖는 몰드 패턴을 형성하는 단계;상기 에피택셜 구조가 노출되도록, 상기 T형 개구부를 통해 상기 다층 절연 패턴 및 상기 캡핑층을 식각하는 단계; 및 상기 T형 개구부 내에 상기 T형 게이트를 형성하는 단계를 포함하는고주파 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 몰드 패턴을 형성하는 단계는,상기 다층 절연 패턴 상에 감광막을 형성하는 단계;전자선 리소그라피 방식으로 상기 감광막을 식각하여, 헤드부 및 상기 헤드부와 연결되고 상기 헤드부 보다 좁은 폭을 갖는 테일부를 포함하는 상기 T형 개구부를 형성하는 단계; 및상기 테일부의 상부 폭을 증가시키도록, 산소 플라즈마 방식으로 상기 감광막을 등방 식각하는 단계를 포함하는고주파 소자의 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 감광막을 형성하는 단계는,PMMA(polymethylmethacrylate)를 포함하는 제1 감광막을 형성하는 단계;상기 제1 감광막 상에 코-폴리머를 포함하는 제2 감광막을 형성하는 단계; 및제2 감광막 상에 PMMA를 포함하는 제2 감광막을 형성하는 단계를 포함하는고주파 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 다층 절연 패턴 및 상기 캡핑층을 식각하는 단계는,SF6 분위기에서 ICP(Inductively coupled plasma) 방식으로 상기 다층 절연 패턴을 등방성 식각하여, 상기 T형 개구부와 연결된 언더 컷을 형성하는 단계; 및BCl3 및 Cl2 분위기에서 ICP 방식으로 상기 캡핑층을 건식 식각하는 단계를 포함하는 고주파 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 T형 게이트를 형성하는 단계는,납(Pd)을 포함하는 제1 도전막, 티타늄(Ti)을 포함하는 제2 도전막, 백금(Pt)을 포함하는 제3 도전막 및 금(Au)을 포함하는 제4 도전막을 차례로 형성하는고주파 소자의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 T형 게이트를 형성한 후, 상기 몰드 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 고주파 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는,ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 알루미늄 산화막(Al2O3)을 포함하는 상기 보호막을 형성하는고주파 소자의 제조 방법
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