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트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015096632
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트랜지스터 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 기판 상에 게이트 전극 및 게이트 절연층을 순차적으로 형성하고, 게이트 절역층 상에 서로 이격된 드레인 전극과 소스 전극을 형성하고, 드레인 전극과 소스 전극 상에 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극을 연결하는 탄소 나노 물질 및 용매를 포함하는 용액을 제공하여 10층 이하의 단일층(monolayer)으로 예비 채널층을 형성하고, 그리고 용매를 제거하여 채널층을 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/78627(2013.01)
출원번호/일자 1020140032875 (2014.03.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0111395 (2015.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양용석 대한민국 대전광역시 유성구
2 유인규 대한민국 충청남도 공주시
3 홍성훈 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤호경 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0269752-77
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0593248-33
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0048888-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1053197-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1053196-05
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0021302-29
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0077221-03
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0260165-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 게이트 전극 및 게이트 절연층을 순차적으로 형성하고; 상기 게이트 절역층 상에 서로 이격된 드레인 전극과 소스 전극을 형성하고;상기 드레인 전극과 상기 소스 전극 상에 상기 드레인 전극과 상기 소스 전극을 연결하는 탄소 나노 물질 및 용매를 포함하는 용액을 제공하여 10층 이하의 단일층(monolayer)으로 예비 채널층을 형성하고; 그리고상기 용매를 제거하여 채널층을 형성하는 것을 포함하는 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 융합연구사업 LCD 백플레인용 신소재 및 용액공정 기술 개발