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Sb를첨가한비휘발성기억소자용PZT박막및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015111495
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Sb를 첨가하고 열처리를 한 비휘발성 기억소자용 강유전체 박막(PZT; Pb(Zr,Ti)O3; 레드 지르코늄 타이타네이트 화합물)과 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 Sb의 첨가를 위하여 Pb, Zr, Ti은 3 인치 금속타겟(metal target)과 5mm 금속조각(metal pellet)을 사용하고 상하부 전극으로 Pt를 이용하며 증착은 직류(direct current, d.c.) 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)법으로 550℃에서 100분 동안하고 난 뒤 열처리를 한 강유전체 박막과 그의 제조방법에 관한 것이다. Sb 첨가량을 변화시키기 위해 Zr 타겟위에 놓여있는 Sb 조각의 위치에 따라 Sb의 첨가량 변화실험을 통해 최적의 Sb 고용량은 0.7 원자백분율(atomic%)로써 Sb가 첨가된 180nm PZT 박막은 Sb을 첨가하지 않은 PZT 박막에 비해 큰 입자크기를 보였으며, 5V 인가전압에서 잔류분극과 항전계의 증가와 피로특성의 향상을 가져 왔다. 또한 0.7 원자백분율의 Sb가 첨가된 PZT 박막은 열처리 후에 더욱 증가된 입자크기를 보였으며, 증착한 PZT 시편이 Pt 상하부 전극구조에서 5V 양극성 구형파(bipolar square pulse)하에서 피로특성은 1x1011 싸이클까지 피로가 거의 일어나지 않는 양호한 결과를 보이기 때문에 비휘발성 기억소자에 활용이 가능하다.
Int. CL H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1019980029326 (1998.07.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0009128 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호기 대한민국 서울특별시 강남구
2 최원열 대한민국 대전광역시 유성구
3 김일두 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090193-45
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090195-36
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.21 수리 (Accepted) 1-1-1998-0090194-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0143359-78
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5250992-28
11 의견서
Written Opinion		 2000.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-5250991-83
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0040217-01
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.04.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5117474-93
14 의견서
Written Opinion		 2001.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-5117473-47
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2001.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0279762-00
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

Sb를 첨가하여 얻은 Pb(Zr,Ti)O3 박막이 0 원자백분율(atomic%) ≤ Sb ≤ 25 원자백분율(atomic%) 범위의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 Sb를 첨가한 비휘발성 기억소자용 PZT 박막

2 2

청구항 1과 같은 조성으로 Sb를 첨가하여 얻은 Pb(Zr,Ti)O3 박막을 산소 또는 질소 분위기에서 500℃∼650℃, 5∼60분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 Sb를 첨가한 비휘발성 기억소자용 PZT 박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.