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제1실리콘층(14), 절연층(12)과 제2실리콘층(10)으로 이루어진 기판을 세척하는 세척단계(S10)와,
상기 기판(99)에 제1산화막(16)을 성막하는 제1산화막 성막단계(S20)와,
상기 제1산화막(16)을 식각하여 검지부홈(18)을 형성하는 검지부홈 형성단계(S30)와,
상기 검지부홈(18)에 압저항체(20)를 도핑하는 도핑단계(S40)와,
상기 기판(99)의 상면에 제 2산화막(22)을 성막하는 제2산화막 성막단계(S50)와,
상기 기판(99)의 저부를 벌크에칭하여 지지체(10a)를 형성하는 제1벌크에칭단계(S60)와,
상기 복수의 외팔보(100)가 포함된 기판을 절단하는 절단단계(S62)와,
상기 기판의 저부를 벌크에칭하는 제2벌크에칭단계(S64)와,
상기 검지부홈(18)이 형성된 측의 제1,2산화막(16a,22a)을 제외하고 제1,2산화막(16,22)과 절연층(12)을 제거하는 산화막 제거단계(S70)와,
상기 기판(99)에 단자부(T)와 검지부(30)를 형성하는 전극패턴 형성단계(S80)와,
상기 검지부(30)가 형성된 상기 제1실리콘층(14)의 타단을 식각하여 자유단을 형성하는 자유단 형성단계(S90);를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 세척단계(S10)는 다음의 [표 1]의 순서에 따라 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 제 1산화막(16)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 검지부홈 형성단계(S30)는 산화불소를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 제2산화막(22)은 실리콘을 저온산화막증착(LTO)방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 제1벌크에칭단계(S60)는 TMAH 용액을 이용하여 방향성 에칭처리하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 10항에 있어서,
상기 에칭처리는 다음의 [수학식 1]에 따라 식각할 때 사용하는 마스크의 크기를 결정하고, 상기 마스크를 이용하여 처리하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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제 5항에 있어서,
상기 산화막 제거단계(S70)는 상기 검지부홈(18)이 형성된 측의 제1,2산화막(16a,22a)을 제외하고 BHF 용액에 담궈 상기 제1,2산화막(16,22)과 상기 절연층(12)을 제거하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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13
제 5항에 있어서,
상기 자유단 형성단계(S90)는 반응이온식각(RIE)을 이용하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서의 제조방법
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적어도 2개의 다중외팔보 MEMS센서(210,210')를 이용한 음원위치 추정방법에 있어서,
상기 각각의 다중외팔보 MEMS센서(210,210')의 복수개 외팔보(100)중 해당 외팔보(100n,100n')가 음압변화에 의한 신호를 발생시키는 신호발생단계(S100);
신호처리부(220)가 상기 발생 신호를 처리하여 도달시간지연을 카운팅하는 단계(S200);
미리 데이터베이스화된 상기 대응되는 외팔보(100n,100n') 간의 위상차를 상기 카운팅된 도달시간지연 값에서 빼거나 더하여 보상하는 보상단계(S250); 및
위치추정부(230)가 상기 도달시간지연으로부터 음원(1)의 위치를 추정하는 위치추정단계(S300);를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중외팔보 MEMS센서를 이용한 음원위치 추정방법
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