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수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 구조 및 이의 제조방법과 이를 이용하여 제작된 렌즈.

  • 기술번호 : KST2015116390
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 등의 수직 나노선 어레이(Array)을 제작하되, 단지 그 충전율(Fill factor)만 조절하여도 광학적 렌즈의 특성을 갖는 구조를 형성할 수 있다. 따라서, 렌즈 자체의 높이 등 크기가 소형화될 수 있고, 기존의 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 반도체 공정인 리소그라피 과정 및 에칭 과정 등을 통해 간단히 렌즈를 구현할 수 있다. 실리콘 등의 유전 상수가 공기와 큰 차이를 보이기 때문에 초점 거리가 짧은 렌즈의 구현도 가능하며, 내부가 비어있기 때문에 가벼운 렌즈의 제작이 가능해진다.또한, 상기의 방법을 이용하여 렌즈를 형성하게 되면, 그 넓이와 높이를 자유자재로 조절하여 렌즈의 크기와 초점을 원하는 만큼 조절할 수 있다.상기 수직 나노선은 금속 촉매 식각 방법, 건식 식각 방법, VLS(vapor-liquid-solid method) 성장 방법 등을 포함하는 하향식(top-down) 방식 또는 상향식(bottom-up) 방식 등의 다양한 방법을 통하여 간단히 제작가능할 것이다.
Int. CL G02B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) B81C 1/00 (2006.01)
CPC G02B 3/0006(2013.01) G02B 3/0006(2013.01) G02B 3/0006(2013.01) G02B 3/0006(2013.01) G02B 3/0006(2013.01) G02B 3/0006(2013.01)
출원번호/일자 1020130015979 (2013.02.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1429093-0000 (2014.08.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.14)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석희 대한민국 대전 서구
2 최지훈 대한민국 대전 유성구
3 정현호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0134544-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0028712-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0261668-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0517434-69
6 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0517493-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0517465-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0527505-38
9 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2014.08.05 수리 (Accepted) 2-1-2014-0430579-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수직 나노선(400)의 어레이(Array)를 포함하는 렌즈 구조에 있어서,상기 렌즈의 수직 나노선(400) 어레이의 밀도, 수직 나노선(400) 직경, 수직 나노선(400) 높이 중 적어도 어느 하나에 따라 상기 렌즈의 직경 및/또는 두께가 변화되고, 이에 따라 상기 렌즈의 초점 거리가 설정되며,상기 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에 가까울수록 치밀하게 배열되고,상기 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에서 멀어질수록 소하게 배열되는 수직 나노선의 어레이 밀도를 갖는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 구조
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 수직 나노선(400)은 단결정, III-V 화합물, 금속, 유리, 고분자 중 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 구조
4 4
수직 나노선(400)의 어레이(Array)를 포함하는 렌즈 구조를 갖는 렌즈 제조 방법에 있어서, 기판(100)을 준비하는 제 1 단계; 상기 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에 가까울수록 치밀하게 배열되고, 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에서 멀어질수록 소하게 배열되도록 상기 기판(100) 상부를 패터닝하는 제 2 단계; 및상기 패터닝된 기판(100)을 이용하여 수직 나노선(400)의 어레이를 제작하는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 제 1 단계 후, 상기 기판(100) 상부를 클리닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선(400)의 어레이를 포함하는 렌즈 제조 방법
6 6
청구항 4에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 기판(100) 상부에 포토레지스트(photoresist)를 도포하고 패터닝하여 원하는 수직 나노선(400)의 어레이 형태로 상기 기판 상부에 수직 나노선(400)의 홀 구조를 패터닝하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 제조 방법
7 7
청구항 4에 있어서, 상기 제 3 단계는, 금속 촉매 식각 방법, 건식 식각 방법, VLS(vapor-liquid-solid method) 방법, CVD(chemical vapor deposition)과 MBE(molecular beam epitaxy) 및 ALD(atomic layer deposition)을 포함하는 에피택시(epitaxy) 방법 중 어느 하나 이상의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이를 포함하는 렌즈 제조 방법
8 8
수직 나노선(400)의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법에 있어서,(i) 단결정 반도체 기판, III-V 화합물 반도체 기판, SOI(silicon on insulator) 기판, 금속 기판, 유리 기판, 고분자 기판 중 적어도 어느 하나의 기판(100)을 준비하는 단계; (ii) 포토레지스트(photoresist)를 상기 기판(100) 상부에 도포하고 원하는 수직 나노선(400)의 어레이 형태로 상기 기판 상부에 수직 나노선의 홀 구조를 패터닝하되, 상기 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에 가까울수록 치밀하게 배열되고, 수직 나노선(400)이 렌즈의 중심부에서 멀어질수록 소하게 배열되도록 패터닝하는 단계; 및(iii) 상기 패터닝된 홀 구조를 이용하여 하향식(top-down) 방식 또는, 상향식(bottom-up) 방식 중 어느 하나의 방법으로 수직 나노선(400)을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 (ii) 단계에서, 상기 렌즈의 수직 나노선(400) 어레이의 밀도, 수직 나노선(400) 직경, 수직 나노선(400) 높이 중 적어도 어느 하나에 변화를 줌으로써, 상기 렌즈의 직경이 조절되고 상기 렌즈의 초점 거리가 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 (ii) 단계는, 수직 나노선(400)이 형성될 부분에만 포토레지스트를 남기도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 (iii) 단계는,상기 하향식(top-down) 방식인 금속 촉매 식각 방법, 건식 식각 방법 중 적어도 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 수직 나노선(400)을 제작하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 하향식(top-down) 방식인 금속 촉매 식각 방법은, 상기 패터닝된 기판(100)에 촉매 금속(300)을 증착하는 단계; 상기 촉매 금속(300)이 증착되어 있는 기판(100)에서 포토레지스트를 제거하는 단계; 상기 포토레지스트가 제거된 기판(100)을 식각용액을 이용하여 식각하는 단계;상기 식각된 기판(100)에 잔존하는 촉매 금속(300)을 제거하는 단계; 및상기 촉매 금속(300)이 식각된 상기 기판(100)을 건조하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
13 13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
14 14
청구항 12에 있어서, 상기 식각용액은 HF와 H2O2와의 혼합 비율, HF와 H2O2와의 혼합 농도, 반응 온도, 식각 시간 중 어느 하나 이상의 변화를 통해,상기 수직 나노선(400)의 길이 및 표면 특성 중 어느 하나 이상이 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
15 15
청구항 9에 있어서, 상기 (ii) 단계는,수직 나노선(400)이 형성될 부분에만 포토레지스트를 제거하도록 패터닝하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 (iii) 단계는,상기 상향식(bottom-up) 방식인 VLS(vapor-liquid-solid method) 방법, CVD(chemical vapor deposition)과 MBE(molecular beam epitaxy) 및 ALD(atomic layer deposition)을 포함하는 에피택시(epitaxy) 방법 중 어느 하나의 방법을 이용하여 상기 수직 나노선을 제작하는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 상향식(bottom-up) 방식인 VLS(vapor-liquid-solid method) 방법은,상기 패터닝된 기판에 금속을 증착하는 단계; 상기 금속이 증착된 기판(100)에서 상기 포토레지스트를 제거함으로써 수직 나노선(400)이 형성될 기지 금속(Seed Metal)(500)을 생성하는 단계;상기 기판(100)을 금속과 기판 물질의 공정(共晶, eutectic) 온도 이상으로 가열하여 금속과 기판 물질 합금이 액체 형태로 생성되도록 하는 단계;상기 금속과 기판 물질 합금이 액체 형태로 생성된 기판에 소스(source)가스를 흘려주어 한 방향의 결정배향을 갖는 수직 나노선(400)을 성장시키는 단계; 및상기 수직 나노선이 성장된 상기 기판에서 상기 금속을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
18 18
청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
19 19
청구항 17에 있어서,상기 공정(共晶, eutectic)을 위한 가열온도의 변화를 통해, 상기 수직 나노선(400)의 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
20 20
청구항 17에 있어서, 상기 소스가스의 유량 변화를 통해, 상기 수직 나노선(400)의 특성이 조절되는 것을 특징으로 하는 수직 나노선의 어레이 구조를 가지는 렌즈 제조 방법
21 21
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 나노소재기술개발사업 [국가그린나노소재 개발사업] 하향식 반도체 공정기반 고효율 나노열전소자개발 (3차년)