맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

용액 조성물, 이를 이용한 금속 산화물 반도체 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 형성된 금속 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015113807
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 용액 조성물, 이를 이용한 금속 산화물 반도체 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 형성된 금속 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 한 실시예에 따른 금속 산화물 반도체 제조 방법은 상기 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물을 준비하는 단계, 기판 위에 상기 용액 조성물을 코팅하는 단계, 그리고 상기 기판에 코팅된 용액 조성물을 열처리하여 알루미늄 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계를 포함하며, 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물은 알루미늄 염 및 금속 무기염을 포함한다. 금속 산화물 반도체, soluble semiconductor, oxide semiconductor, printable, solution process, 저온 용액 공정
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01)
CPC H01L 29/26(2013.01) H01L 29/26(2013.01) H01L 29/26(2013.01) H01L 29/26(2013.01)
출원번호/일자 1020090085595 (2009.09.10)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0027488 (2011.03.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.15)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영민 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 김보성 대한민국 서울특별시 서초구
3 장선필 대한민국 서울특별시 도봉구
4 정연택 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 최태영 대한민국 서울특별시 성북구
6 조승환 대한민국 경기도 수원시 영통구
7 배병수 대한민국 대전 유성구
8 서석준 대한민국 대전 유성구
9 황영환 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0558683-53
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052756-88
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742667-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0664002-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0025967-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0567535-69
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1002103-96
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1002102-40
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0069987-79
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0191493-64
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0191505-24
19 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0209711-36
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0383987-56
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
알루미늄 염 및 금속 무기염을 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
2 2
제1항에서, 상기 금속 무기염은 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 망간(Mn), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 철(Fe), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 카드뮴(Cd), 수은(Hg), 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In), 탈륨(Tl), 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 납(Pb), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무트(Bi)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
3 3
제1항에서, 상기 금속 무기염의 음이온은 아세테이트(acetate)를 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
4 4
제1항에서, 상기 알루미늄 염의 음이온은 수산화물(hydroxide), 아세테이트(acetate), 프로피오네이트(propionate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate), 메톡사이드(methoxide), 2차-부톡사이드(sec-butoxide), 3차-부톡사이드(t-butoxide), n-프로폭사이드(n-propoxide), i-프로폭사이드(i-propoxide), 에톡사이드(ethoxide), 포스페이트(phosphate), 알킬포스페이트(alkylphosphonate), 질산염(nitrate), 과염소산염(perchlorate), 황산염(sulfate), 알킬설포네이트(alkylsulfonate), 페녹사이드(phenoxide), 브로마이드(bromide), 요오드염(iodide), 그리고 클로라이드(chloride)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
5 5
제4항에서, 상기 알루미늄 염의 음이온은 용매와의 착물인 상태를 포함하고, 상기 용매는 물(H2O), 테트라히드로푸란(THF), 알코올(alcohol), 그리고 에테르(ether)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
6 6
제1항에서, 용액 안정제를 더 포함하며, 상기 용액 안정제는 다이케톤(diketone), 아미노 알코올(amino alcohol), 그리고 폴리아민(polyamine)에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
7 7
제1항에서, 알코올류를 포함하는 용매를 더 포함하는 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물
8 8
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 박막 트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물을 준비하는 단계, 기판 위에 상기 용액 조성물을 코팅하는 단계, 그리고 상기 기판에 코팅된 용액 조성물을 열처리하여 알루미늄 금속 산화물을 포함하는 금속 산화물 반도체를 형성하는 단계 를 포함하는 금속 산화물 반도체 제조 방법
9 9
제8항에서, 상기 기판 위에 상기 용액 조성물을 코팅하는 단계 전에 상기 용액 조성물을 교반하는 단계를 더 포함하는 금속 산화물 반도체 제조 방법
10 10
제8항에서, 상기 기판 위에 상기 용액 조성물을 코팅하는 단계는 스핀 코팅, 딥 코팅, 바 코팅, 스크린 프린팅, 슬라이드 코팅, 롤 코팅, 슬릿 코팅, 스프레이 코팅, 침지(dipping), 딥 펜(dip-pen), 잉크젯 인쇄, 나노 디스펜싱, 그리고 잉크젯 인쇄 방법 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 포함하는 금속 산화물 반도체 제조 방법
11 11
제8항에서, 상기 기판에 코팅된 용액 조성물을 열처리하는 단계에서 온도는 100℃ 이상 500 ℃ 이하인 금속 산화물 반도체 제조 방법
12 12
청구항 8의 금속 산화물 반도체 제조 방법에 의해 제조된 금속 산화물 반도체
13 13
게이트 기판, 상기 게이트 기판과 중첩하는 금속 산화물 반도체, 상기 금속 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극, 그리고 상기 금속 산화물 반도체와 전기적으로 연결되어 있으며 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극 을 포함하고, 상기 금속 산화물 반도체는 청구항 8의 금속 산화물 반도체 제조 방법에 의해 제조되는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.