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멤즈 구조체의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015117166
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 희생층을 사용하여 멤즈(mems) 구조체를 제조하기 위한 마이크로 머시닝 공정을 이용한 멤즈 구조체의 제조 방법에 있어서, 제1웨이퍼기판(100)에 비정질 탄소로 이루어진 희생층(200), 바닥전극층(300), 부도체층(400)을 적층하여 단층 인터커넥션 구조를 형성하거나 제1웨이퍼기판에 비정질 탄소로 이루어진 희생층, 바닥전극층과 부도체층이 교번 적층된 반복층을 형성하고 상기 바닥전극층들을 상호 전기적으로 연결하는 비아홀을 형성하여 다층 인터커넥션 구조를 형성하는 제1단계; 상기 부도체층(400)에 제2웨이퍼기판(500)을 본딩하고 상기 제1웨이퍼기판(100)을 연마하는 제2단계; 상기 제1웨이퍼기판(100)에 회로 패턴을 형성하여 멤즈 구조체(150)를 형성하는 제3단계; 및 상기 희생층(200)의 일부 또는 전부를 제거하여 상기 멤즈 구조체(150)의 일부를 허공에 띄우는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120158016 (2012.12.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1471190-0000 (2014.12.03)
공개번호/일자 10-2014-0087568 (2014.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20141211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병일 대한민국 대전광역시 유성구
2 이귀로 대한민국 대전광역시 유성구
3 임성규 대한민국 대전광역시 유성구
4 김영수 대한민국 대전광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1095985-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077829-10
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0430197-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0780845-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0780846-68
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0816203-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
희생층을 사용하여 멤즈(mems) 구조체를 제조하기 위한 마이크로 머시닝 공정을 이용한 멤즈 구조체의 제조 방법에 있어서,제1웨이퍼기판(100)에 비정질 탄소로 이루어져서 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2단계에 있어, 상기 제2웨이퍼기판(500)은 CMOS(600, complementary metal oxide semiconductor) 회로가 형성된 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 멤즈 구조체의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제4단계는상기 제2웨이퍼기판(500)을 연마하고 상기 제2웨이퍼기판(500) 상에 상기 바닥전극층(300)과 외부를 전기적으로 연결하기 위한 실리콘 관통전극(700, Through silicon Via)을 형성하는 것을 특징으로 하는 멤즈 구조체의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 멤즈 구조체의 제조 방법은상기 멤즈 구조체(150)를 WLP(Wafer Level Packaging) 또는 WLVP(Wafer Level Vacuum Packaging)하는 제5단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 멤즈 구조체의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.