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두 개의 전극층 사이의 거리 변화에 따라서 정전용량이 변화되는 커패시터에 사용되는 상기 전극층은:폴리머 기판과;상기 폴리머 기판 상에 형성되는 전극과;상기 전극과 연결되도록 상기 폴리머 기판 상에 형성되는 신호 전달선이 구비되는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극층
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제 1항에 있어서, 상기 폴리머는 실리콘 계열의 고무 또는 폴리이미드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극층
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제 1항에 따른 커패시터용 전극층의 제조방법은:실리콘 기판 상에 희생층을 형성하는 단계와;상기 희생층 상의 소정영역에 상기 전극 및 신호 전달선을 형성하는 단계와;상기 전극 및 상기 신호 전달선이 형성된 결과물 상에 액상의 폴리머를 코팅하여 굳히는 단계와;상기 실리콘 기판 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극층의 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 전극과 상기 신호 전달선은 전기도금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 커패시터용 전극층의 제조방법
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폴리머 기판과, 상기 폴리머 기판 상에 형성되는 상부전극과, 상기 상부전극의 좌측 및 우측에 각각 형성된 상부전극용 신호 전달선이 있는 상부전극층과;폴리머 기판과, 상기 폴리머 기판 상에 형성되는 하부전극과, 상기 하부전극의 전측 및 후측에 각각 형성된 하부전극용 신호 전달선이 있는 하부전극층과;폴리머로 이루어지며 상기 상부전극층과 상기 하부전극층 사이에 위치되되, 상기 상부전극과 상기 하부전극이 대면되도록 소정영역에 구멍이 형성된 스페이서층이 구비되는 단위센서
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제 5항에 있어서, 상기 스페이서층은 실리콘 기판 상에 액상의 폴리머를 코팅하여 굳힌 다음 사진식각 공정으로 패턴을 형성하고 건식 식각으로 상기 구멍을 형성한 후 상기 실리콘 기판을 제거함으로써 마련되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 5항에 있어서, 상기 상부전극층과 상기 스페이서층 사이에 폴리머로 이루어진 절연층이 위치되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 5항에 있어서, 상기 하부전극층과 상기 스페이서층 사이에 폴리머로 이루어진 절연층이 위치되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 상기 절연층은 실리콘 기판 상에 액상의 폴리머를 코팅하여 굳힌 다음 상기 실리콘 기판을 제거함으로써 마련되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 5항에 있어서, 상기 상부전극층 상에는 폴리머로 이루어진 범프층이 위치되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 10항에 있어서, 상기 범프층은 범프 몰드가 형성된 실리콘 기판 상에 액상의 폴리머를 코팅하여 굳힌 다음 상기 실리콘 기판을 제거함으로써 마련되는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 5항, 제 7항, 제 8항 또는 제 10항에 있어서, 상기 폴리머는 실리콘 계열의 고무 또는 폴리이미드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단위센서
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제 5항, 제 7항, 제 8항 또는 제 10항에 따른 단위센서를 이용한 촉각센서는:상기 단위센서들이 이차원 배열되되, 각각의 단위센서를 이루는 상기 상부전극들이 서로 전기적으로 연결되도록 상기 상부전극용 신호 전달선들은 순차적으로 연결되며, 각각의 단위센서를 이루는 상기 하부전극들이 서로 전기적으로 연결되도록 상기 하부전극용 신호 전달선들은 순차적으로 연결되어 이루어지는 단위센서 어레이와; 상기 단위센서 어레이를 외부와 연결하기 위하여 말단에 위치된 상부전극용 신호 전달선들 및 하부전극용 신호 전달선들 각각에 설치되는 연결선이 구비되는 촉각센서
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