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차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로

  • 기술번호 : KST2015118382
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로에 관한 것으로서, 차동구조로 형성된 고주파 회로에서 입출력부에 적용되는 변압기를 정전기 발생시 정전기 방지소자로 활용하여 낮은 주파수의 정전기가 입력될 경우 변압기에서 다음 차측으로 전달시키기 않고 공통 정전기 방전버스를 통해 방전시킴으로써 높은 정전기 내성을 가짐과 동시에 전원전압 및 바이어스 패드에는 별도의 정전기 방전소자를 사용함에 따른 고주파 회로 동작의 열화를 최소화 할 수 있는 이점이 있다. Diode, Electrostatic Discharge, ESD, ESD Protection network, MOSFET, 다이오드, 정전기, 변압기, 고주파 회로
Int. CL H01L 27/04 (2006.01) H05F 3/04 (2006.01)
CPC H05F 3/04(2013.01) H05F 3/04(2013.01) H05F 3/04(2013.01)
출원번호/일자 1020060053004 (2006.06.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0793148-0000 (2008.01.03)
공개번호/일자 10-2007-0118820 (2007.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20080110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.13)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 대전 유성구
2 박창근 대한민국 경남 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0413023-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0019530-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0289997-18
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0398223-97
6 의견서
Written Opinion
2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0398213-30
7 등록결정서
Decision to grant
2007.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0638867-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
차동구조로 된 고주파 회로의 입력단 및 출력단에 각각 정합회로로 제 1내지 제 2변압기가 형성된 고주파 회로에 있어서, 상기 고주파 회로의 외곽에 형성되고 접지된 공통 정전기 방전버스로 이루어지며, 상기 공통 정전기 방전버스에 상기 고주파 회로의 접지가 연결되고, 상기 제 1변압기의 1차측 접지와 상기 제 2변압기의 2차측 접지가 각각 연결된 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
2 2
제 1항에 있어서, 상기 공통 정전기 방전버스와 전원전압 패드 사이에 매개되어 연결된 제 1정전기 방전소자와, 상기 공통 정전기 방전버스와 바이어스 패드 사이에 매개되어 연결된 제 2정전기 방전소자를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제 1내지 제 2정전기 방전소자는 양방향성 소자인 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
4 4
제 2항에 있어서, 상기 제 1내지 제 2정전기 방전소자는 단방향성 소자인 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
5 5
제 2항에 있어서, 상기 제 1내지 제 2정전기 방전소자는 MOSFET로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
6 6
제 2항에 있어서, 상기 제 1내지 제 2정전기 방전소자는 SCR로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
7 7
제 2항에 있어서, 상기 제 1내지 제 2정전기 방전소자는 다이오드로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
8 8
차동구조로 된 고주파 회로의 입력단 및 출력단에 각각 정합회로로 제 1내지 제 2변압기가 형성된 고주파 회로에 있어서, 상기 고주파 회로의 접지와 상기 제 1변압기의 1차측 접지와 상기 제 2변압기의 2차측 접지가 공통으로 접지되고, 전원전압 패드와 접지 사이에 매개되어 연결된 제 1정전기 방전소자와, 바이어스 패드와 상기 제 1정전기 방전소자 사이에 매개되어 연결된 제 2정전기 방전소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
9 9
차동구조로 된 고주파 회로의 입력단 및 출력단에 각각 정합회로로 제 1내지 제 2변압기가 형성된 고주파 회로에 있어서, 상기 제 1변압기 외곽에 형성되고 접지된 제 1공통 정전기 방전버스와, 상기 고주파 회로 외곽에 형성되고 접지된 제 2공통 정전기 방전버스와, 상기 제 1공통 정전기 방전버스와 상기 제 2공통 정전기 방전버스를 연결하는 제 3정전기 방전소자로 이루어지며, 상기 제 1공통 정전기 방전버스에 상기 제 1변압기의 1차측 접지가 연결되고, 상기 제 2공통 정전기 방전버스에 상기 고주파 회로의 접지와 상기 제 2변압기의 2차측 접지가 각각 연결된 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제 2공통 정전기 방전버스와 전원전압 패드 사이에 매개되어 연결된 제 1정전기 방전소자와, 상기 제 2공통 정전기 방전버스와 바이어스 패드 사이에 매개되어 연결된 제 2정전기 방전소자를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
11 11
제 10항에 있어서, 상기 제 1내지 제 3정전기 방전소자는 양방향성 소자인 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
12 12
제 10항에 있어서, 상기 제 1내지 제 3정전기 방전소자는 단방향성 소자인 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
13 13
제 10항에 있어서, 상기 제 1내지 제 3정전기 방전소자는 MOSFET로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
14 14
제 10항에 있어서, 상기 제 1내지 제 3정전기 방전소자는 SCR로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
15 15
제 10항에 있어서, 상기 제 1내지 제 3정전기 방전소자는 다이오드로 형성한 것을 특징으로 하는 차동구조로 된 고주파 회로의 정전기 방지회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.