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1
3차원 집적 회로가 형성되는 적어도 하나의 회로 기판을 관통하고 전원 단자에 연결되는 제1 컨덕터;상기 제1 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하고 접지 단자에 연결되는 제2 컨덕터를 포함하는 관통 실리콘 비아(TSV) 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 제2 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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3
제1 항에 있어서, 상기 TSV 커패시터의 단면은 원형인 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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제1 항에 있어서, 상기 TSV 커패시터의 단면은 장방형인 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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5
제1 항에 있어서, 상기 제1 컨덕터 및 제2 컨덕터를 구성하는 물질은 각각 구리, 알루미늄, 텅스텐 및 폴리 실리콘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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6
3차원 집적 회로가 형성되는 적어도 하나의 회로 기판을 관통하고 접지 단자에 연결되는 제1 컨덕터;상기 제1 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하고 전원 단자에 연결되는 제2 컨덕터를 포함하는 관통 실리콘 비아(TSV) 커패시터
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7
제6 항에 있어서, 상기 제2 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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8
3차원 집적 회로가 형성되는 적어도 하나의 회로 기판의 일면에 형성되는 액티브 영역과 중첩되지 않도록 상기 일면에 형성되는 상부 단면 및 상기 회로 기판의 타면에 형성되는, 상기 상부 단면 보다 넓은 면적의 하부 단면을 구비하고 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 컨덕터;상기 제1 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 컨덕터를 포함하는 관통 실리콘 비아(TSV) 커패시터
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9
제8 항에 있어서, 상기 제2 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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10
제8 항에 있어서, 상기 제1 컨덕터 및 제2 컨덕터를 구성하는 물질은 각각 구리, 알루미늄, 텅스텐 및 폴리 실리콘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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11
적어도 하나의 회로 기판을 포함하는 3차원 집적 회로에 있어서, 상기 회로 기판은 적어도 하나 이상의 관통 실리콘 비아(TSV) 커패시터를 포함하고, 상기 TSV 커패시터는,상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 컨덕터;상기 제1 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제1 절연층; 및상기 제1 절연층 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 컨덕터를 포함하는 3차원 집적 회로
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제11 항에 있어서, 상기 TSV 커패시터는 상기 제2 컨덕터의 외측면에 위치하여 상기 적어도 하나의 회로 기판을 관통하는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 집적 회로
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13
3차원 집적 회로가 형성되는 회로 기판에 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계;상기 비아 홀의 내측면에 제1 컨덕터를 증착하는 단계;상기 제2 컨덕터의 내측면에 제1 절연층을 증착하는 단계; 및상기 제1 절연층의 내부에 제2 컨덕터를 충전하는 단계를 포함하는 TSV 커패시터 형성 방법
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14
제13 항에 있어서, 상기 제1 컨덕터 및 제2 컨덕터를 구성하는 물질은 각각 구리, 알루미늄, 텅스텐 및 폴리 실리콘 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 TSV 커패시터
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3차원 집적 회로가 형성되는 회로 기판에 비아 홀을 형성하는 단계;상기 비아 홀의 내측면에 제1 절연층을 증착하는 단계;상기 제1 절연층의 내측면에 제1 컨덕터를 증착하는 단계;상기 제1 컨덕터의 내측면에 제2 절연층을 증착하는 단계; 및상기 제2 절연층의 내부에 제2 컨덕터를 충전하는 단계를 포함하는 TSV 커패시터 형성 방법
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