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기판;상기 기판 위에 형성되는 제1 유전체막;상기 제1 유전체막 위에 형성되는 반도체막; 및상기 반도체막 위에 형성되는 제2 유전체막을 포함하는 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체막은,상기 반도체막 내부에 P형 및 N형 불순물이 주입됨에 따라 PN 접합 다이오드 소자로 동작하고, 상기 PN 접합 다이오드 소자에 역 전압이 인가됨에 따라 전기적으로 구동되는 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체막은,전압 강하를 발생시키는 공핍 영역을 포함하고,상기 공핍 영역은,상기 제1 유전체막 위에 주입되는 불순물의 도핑 농도를 증가함에 따라 두께가 축소되는 적외선 열 복사 장치
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제3항에 있어서,상기 반도체막은,역전압 인가 시 상기 공핍 영역에 의해 직류 전기장을 형성하며, 상기 전기장을 가로지르는 사태(Avalanche) 전류에 기초하여 상기 전기장이 형성된 국소 구간에서 열을 발생하는 적외선 열 복사 장치
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제3항에 있어서,상기 반도체막은,상기 불순물의 도핑 농도가 조절됨에 따라 자유 운반자 농도가 조절되어 공진 광 모드의 흡수 손실을 조절 하는 적외선 열 복사 장치
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제3항에 있어서,상기 반도체막은,식각되어 형성되는 원통 구조물의 개수가 조절되어 공진 광 모드의 방사 손실을 조절하는 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 적외선 열 복사 장치는,상기 반도체막 내의 P+, 및 N+ 영역에 불순물의 도핑 농도를 높임에 따라 제너(Zener) 다이오드로 동작하는 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 유전체막은,상기 반도체막 내의 능동층 위에 형성되어 대기 동작 상태에서의 산화를 방지하는 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은,SOI(Silicon-On-Insulator) 기판인 적외선 열 복사 장치
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제1항에 있어서,상기 반도체막은,P++ 영역 및 N++ 영역을 포함하며,상기 P++ 영역 및 N++ 영역 각각 위에 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 열 복사 장치
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기판;상기 기판 위에 형성되는 유전체층;상기 유전체층 위에 형성되며, 반사를 통해 열 복사를 상부 방향으로 집중시키는 도체층;상부 및 하부 금속 사이의 절연을 위해 상기 도체층 위에 형성되는 이격 유전체층;상기 이격 유전체층 위에 형성되며, 불순물이 주입되는 반도체막; 및상기 반도체막 위에 형성되는 유전체막을 포함하는 적외선 열 복사 장치
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제11항에 있어서,상기 도체층은,상기 반도체막에서의 광 흡수 손실을 증가시키고, 광 방사 손실을 감소시키는 적외선 열 복사 장치
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제11항에 있어서,상기 반도체막은,P형 또는 N형 불순물이 주입됨에 따라 P형 혹은 N형의 능동 반도체 막으로 동작하는 적외선 열 복사 장치
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제11항에 있어서,상기 유전체막은 진공 상태에서 상기 적외선 열 복사 장치의 동작 효율을 증가시키기 위하여 제거되는 적외선 열 복사 장치
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 위에 제1 유전체막을 형성하는 단계;상기 제1 유전체막 위에 반도체막을 형성하는 단계; 및상기 반도체막 위에 제2 유전체막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 반도체막은,상기 반도체막 내부에 P형 및 N형 불순물이 주입됨에 따라 PN 접합 다이오드 소자로 동작하고, 상기 PN 접합 다이오드 소자에 역 전압이 인가됨에 따라 전기적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 적외선 열 복사 장치를 제조하는 방법
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