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기판들간의 직접 접합방법

  • 기술번호 : KST2015120185
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판들간의 직접 접합방법에 관한 것으로, 두 장의 기판을 직접 접합함에 있어 접합될 기판의 표면을 친수화시키고 물층을 존재하게 한 뒤 두 기판을 맞닿게 함으로써 초기 접합을 보다 향상시키고자 한 것이다.이는 종래의 SDB 방법이 친수화 처리를 한 후 표면을 건조시킨 후 초기 접합을 이루는데 비해, 표면이 젖은 상태에서 두 기판을 맞닿게 한 뒤 수 시간동안 유지함으로써 초기 접합을 이루는 것으로 WDB 방법으로 새롭게 명명되었다.이러한 WDB 방법은 맞닿는 기판쌍의 위에 하중을 주고 최대 500℃에 이르기까지 열처리를 함으로써, 실리콘 기판은 물론 실리콘 웨이퍼에 비해 표면의 거칠기가 상대적으로 큰 유리 기판 등에 대해서도 보다 향상된 특성을 지닌 접합이 이루어지도록 한 것이다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/76251(2013.01) H01L 21/76251(2013.01) H01L 21/76251(2013.01)
출원번호/일자 1019960073595 (1996.12.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1998-0054434 (1998.09.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 오명환 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0242072-26
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0242073-72
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1996-0242074-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0239811-40
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0357121-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

접합될 두장의 기판을 깨끗이 세척하고 그 표면을 친수화하는 공정과, 이후 상기 친수화된 기판을 탈이온수(DI water)로 헹구어 기판의 표면에 물층을 형성하는 공정과, 이후 상기 물층이 형성된 기판을 서로 맞닿게 하여 초기 접합을 이루는 공정과, 이후 초기 접합이 이루어진 기판을 열처리 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판들간의 직접 접합방법

2 2

접합될 두 장의 기판을 깨끗이 세척하고 그 표면을 친수화하는 공정과, 이후 상기 친수화된 기판을 서로 맞닿게 하여 초기 접합을 이루는 공정과, 이후 초기 접합이 이루어진 기판을 열처리 하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판들간의 직접 접합방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 접합이 되는 상기 기판은 실리콘 기판-실리콘 기판, 실리콘 기판-산화막이 형성된 실리콘 기판, 산화막이 형성된 실리콘-산화막이 형성된 실리콘 기판, 유리 기판-실리콘 기판, 유리 기판-산화막이 형성된 실리콘 기판, 유리 기판-유리 기판(f) 및 다양한 종류의 박막이 형성된 실리콘 기판이나 유리, 감륨비소(GaAs)나 인듐 포스파이드(InP)와 같은 III-V족 반도체 기판들 및 금속 기판들을 사용하는 것을 특징으로 하는 기판들간의 직접 접합방법

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 초기 접합시 접합을 더욱 강하게 하기 위하여 두 장의 기판을 맞닿게 한 뒤 어느 정도 하중이 나가는 물체(mass)를 기판쌍의 위에 올려 놓은 상태로 접합이 이루어지도록 함을 특징으로 하는 기판들간의 직접 접합방법

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 500℃ 이하의 상온에서 수행함을 특징으로 하는 기판들간의 직접 접합방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.