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양자세선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120232
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl4 또는 CBr4를 특정공정조건에서 주입하여, CCl4 또는 CBr4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C30B 29/42(2013.01) C30B 29/42(2013.01)
출원번호/일자 1019970045523 (1997.09.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0250953-0000 (2000.01.08)
공개번호/일자 10-1999-0024426 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20000501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 서울특별시 노원구
2 김용 대한민국 경기도 고양시 일산구
3 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
4 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
5 박영균 대한민국 서울특별시 서초구
6 손창식 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144395-26
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144397-17
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.02 수리 (Accepted) 1-1-1997-0144396-72
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 1999.10.08 수리 (Accepted) 9-1-1999-0000385-60
10 등록사정서
Decision to grant		 1999.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0382813-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판의 상부에 특정 형태의 홈을 형성하고, 그 기판의 상부에 단차를 갖는 알루미늄갈륨비소를 증착한 후, 그 단차의 측면에 유기금속화학증착법을 사용하여 갈륨비소 에피층을 성장시키는 양자세선 제조방법에 있어서, 상기 갈륨비소 에피층 성장시 농도의 비에 따라 갈륨비소의 성장률을 변화시키는 성장제어 화합물을 주입하고, 5족원소와 3족원소를 혼합하여 주입하며, 특정 성장온도분위기에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 성장제어 화합물은 CCl4 또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 성장온도는 600 내지 700℃인 것을 특징으로 하는 양자세선 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.