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균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법

  • 기술번호 : KST2015120520
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학기상증착(CVD;Chemical Vaper Deposition)법에 의한 막상의 다이아몬드 합성 방법에 있어서, 합성 중 막에 인가되는 고유응력(intrinsic stress)을 제어하고, 최적의 기판을 선택하여, 균열(crack)이 없고 평탄한 다이아몬드 자유막을 제작하는 합성 방법에 관한 것이다. 특히 일정의 증착 온도에서 다이아몬드막을 일정 두께로 증착시킨 후 합성 중 증착 온도를 연속적으로 또는 여러 단계로 감소 또는 증가시켜, 합성 중 다이아몬드막에 압축 또는 인장응력을 유도하여 다이아몬드막에 인가된 압축 또는 인장응력을 상쇄시킴에 의해 성장 균열이 없는 다이아몬드 자유막을 제작하고, 또한 기판 재료로 탄성계수가 큰 텅스텐을 사용하여 휨이 없는 평탄한 자유막을 제작하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하여 종래 다이아몬드막 합성시 발생되었던 성장균열을 효과적으로 없앨 수 있으며, 막의 휨이 없는 균일하고 평탄한 다이아몬드막을 합성할 수 있다.1:기판 2:다이아몬드막 3:기판의 수축 4:다이아몬드막의 수축 11:기판 21:다이아몬드막 22:다이아몬드 자유막
Int. CL C01B 31/06 (2006.01)
CPC C23C 16/276(2013.01) C23C 16/276(2013.01) C23C 16/276(2013.01) C23C 16/276(2013.01)
출원번호/일자 1019990015647 (1999.04.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0352985-0000 (2002.09.03)
공개번호/일자 10-2000-0067650 (2000.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20020918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.04.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시노원구
2 백영준 대한민국 서울특별시노원구
3 은광용 대한민국 서울특별시중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.04.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-0041513-60
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0139016-18
5 의견서
Written Opinion		 2001.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0185704-99
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0185701-52
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0031005-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0096405-11
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.04.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0118374-00
11 의견서
Written Opinion		 2002.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2002-0118377-36
12 등록결정서
Decision to grant		 2002.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0309998-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

챔버 내에 다이아몬드 합성물질을 투입하고, 700℃ ~ 1000℃의 범위에서 소정의 온도로 플라즈마보조화학기상증착법(plasma assisted chemical vapor deposition: PACVD)에 의하여 기판 위에 다이아몬드막을 1차로 합성하고,

합성 중 다이아몬드막에 인가되는 고유응력을 제어하기 위해, 다이아몬드막 증착온도를 연속적으로 또는 다단계로 변화시키면서 추가적으로 다이아몬드막을 합성시키는 단계를 포함하여 구성되며,

상기 증착온도를 변화시키는 단계에 있어서, 증착온도의 감소에 의하여 합성되는 다이아몬드막에는 압축응력이 인가되고, 증착온도의 증가에 의하여 합성되는 다이아몬드막에는 인장응력이 인가되는 것을 특징으로 하는 균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법

2 2

제1항에 있어서, 증착온도의 변화는 챔버 내에 투입되는 전력의 변화, 챔버 내의 합성 압력의 변화, 기판에 공급되는 냉각수의 유량 조절 등에서 선택되는 어느 하나 이상의 방법에 의하는 다이아몬드막 합성 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 증착온도의 총 감소 또는 증가의 범위는 200℃ 이내인 것을 특징으로 하는 균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 기판은 탄성 계수가 큰 텅스텐(W)을 사용함을 특징으로 하는 균열이 없고 평탄한 다이아몬드막 합성 방법

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1 US06319439 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6319439 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.