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그래핀 외장에 삽입된 다이아몬드 나노플레이크를 포함하는 다상 탄소 나노구조물 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122338
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다상(polyphase) 탄소 나노구조물은, 하나 이상의 그래핀(graphene) 층으로 이루어지는 그래핀 외장; 및 그래핀 외장 내에 삽입된 다이아몬드 나노플레이크(diamond nanoflake)를 포함할 수 있다. 그래핀 외장은 다중층 그래핀(few-layer graphene)으로 이루어질 수도 있다. 또한, 그래핀 외장에서 하나 이상의 그래핀 층 각각은 다이아몬드 나노플레이크의 (111) 면과 평행하게 배열될 수도 있다. 다상 탄소 나노구조물은, 그래핀 외장을 둘러싸고 위치하는 나노결정질 다이아몬드 필름을 더 포함할 수도 있다. 이상과 같이 구성된 다상 탄소 나노구조물은, 흑연을 포함하지 않는 종래의 나노결정질 다이아몬드 필름과 비교하여 높은 전기 전도도를 갖는다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020120137650 (2012.11.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1349633-0000 (2014.01.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140225) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울 노원구
2 이학주 대한민국 인천 계양구
3 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
4 박종극 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0993889-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0100559-17
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0907249-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 그래핀 층으로 이루어지는 그래핀 외장; 및 상기 그래핀 외장에 삽입된 다이아몬드 나노플레이크를 포함하는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물
2 2
제 1항에 있어서,상기 그래핀 외장은 다중층 그래핀으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물
3 3
제 1항에 있어서,상기 하나 이상의 그래핀 층 각각은 상기 다이아몬드 나노플레이크의 (111) 면과 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물
4 4
제 1항에 있어서,상기 그래핀 외장을 둘러싸고 위치하는 나노 결정질 다이아몬드 필름을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물
5 5
기판 및 필라멘트가 위치하는 반응 챔버에, 수소 및 탄화소수를 포함하는 원료 기체를 주입하는 단계; 상기 기판을 가열하는 단계;상기 필라멘트를 가열하여 상기 원료 기체를 활성화하는 단계; 및 활성화된 상기 원료 기체로부터, 가열된 상기 기판상에 그래핀 층 및 상기 그래핀 층에 삽입된 다이아몬드 나노플레이크를 형성하는 단계를 포함하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 원료 기체를 주입하는 단계는, 상기 원료 기체 내의 탄화수소의 비율을 1% 이하로 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 기판을 가열하는 단계는, 상기 기판을 800 ℃ 이상의 온도로 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
8 8
제 5항에 있어서,상기 그래핀 층은 다중층 그래핀으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
9 9
제 5항에 있어서,상기 그래핀 층은 상기 다이아몬드 나노플레이크의 (111) 면과 평행하게 배열된 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
10 10
제 5항에 있어서,상기 형성하는 단계는, 상기 그래핀 층을 둘러싸고 위치하는 나노 결정질 다이아몬드 필름을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다상 탄소 나노구조물의 제조 방법
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