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탄소나노튜브 전극, 이를 이용한 전기이중층축전기 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120884
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고주파플라즈마화학증착법과 열플라즈마화학증착법을 결합한 공정에 의해 금속기판 위에 별도의 촉매층 코팅과정을 거치지 않고 길이가 긴 탄소나노튜브를 생성시켜 이를 전극으로 사용한 전기이중층축전기의 전극 단위면적당 축전용량을 크게 하여 축전기 전체의 에너지밀도를 증가시킨다.탄소나노튜브, 플라즈마화학증착, 열화학증착, 수퍼캐패시터
Int. CL H01G 11/36 (2013.01) C01B 31/02 (2013.01)
CPC H01G 11/36(2013.01) H01G 11/36(2013.01)
출원번호/일자 1020020058225 (2002.09.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0461966-0000 (2004.12.06)
공개번호/일자 10-2004-0029491 (2004.04.08) 문서열기
공고번호/일자 (20041217) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.09.25)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박달근 대한민국 서울특별시강남구
2 이중기 대한민국 서울특별시강남구
3 우주만 대한민국 서울특별시노원구
4 김영훈 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0313083-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0042777-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0393979-55
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0506741-78
6 의견서
Written Opinion		 2004.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0506739-86
7 등록결정서
Decision to grant		 2004.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0508651-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속 기판의 표면의 이물질을 제거하고 기판 표면을 개질하는 전처리 단계;

챔버 내에 탄화수소가스를 공급하고 고주파전류를 인가하여 플라즈마화학증착에 의하여 상기 금속 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 제1성장단계; 및

탄소나노튜브의 성장이 중단되기 전에 플라즈마화학증착을 중단하고 챔버 내에 탄화수소가스를 공급하고 열화학증착에 의하여 상기 금속 기판 상에 탄소나노튜브를 성장시키는 제2성장단계;를

포함하여 구성되는 탄소나노튜브 전극 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제1성장단계에서 기판온도는 500 - 750℃ 범위인 탄소나노튜브 전극 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 제1성장단계에서 챔버내 압력은 0

4 4

제1항에 있어서, 상기 제1성장단계에서 탄화수소가스공급속도는 1 - 20 sccm 범위인 탄소나노튜브 전극 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제1성장단계에서 증착 시간은 1 - 60 분 범위인 탄소나노튜브 전극 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 제2성장단계에서 기판 온도는 500 - 750℃ 범위인 탄소나노튜브 전극 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 제2성장단계에서 증착 시간은 1 - 240분 범위인 탄소나노튜브 전극 제조방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 전처리단계에서 이물질 제거는 초음파 세척 또는 기계적, 전기화학적 연마에 의해 이루어지는 탄소나노튜브 전극 제조방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 전처리단계에서 표면의 개질은 불산용액처리와 수소 플라즈마에 의해 이루어지는 탄소나노튜브 전극 제조방법

10 10

제1항에 있어서, 성장된 탄소나노튜브를 금속기판 위에 있는 그대로 부분산화하는 단계를 추가적으로 포함하는 탄소나노튜브 전극 제조방법

11 11

제1항에 의하여 제조된 탄소나노튜브 전극

12 12

제1항에 의하여 제조된 탄소나노튜브전극 한 쌍과, 전해질 및 분리막으로 구성된 전기이중층축전기

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.