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(A) 산 용액에 탄소나노튜브를 첨가하여 탄소나노튜브 용액을 제조한 후, 마이크로웨이브를 조사하는 단계;(B) 상기 (A) 단계에서 얻은 마이크로웨이브가 조사된 탄소나노튜브 용액을 여과하고, 제1 용매로 세척 및 수분을 제거한 후 건조시켜, 친수성기가 도입된 탄소나노튜브를 얻는 단계;(C) 상기 (B) 단계에서 얻은 친수성기가 도입된 탄소나노튜브와 제1 화합물을 디메틸포름아미드에 분산시킨 후 질소 버블링을 수행하여, 탄소나노튜브 분산액을 얻는 단계; 및(D) 상기 (C) 단계에서 얻은 탄소나노튜브 분산액에 마이크로웨이브를 조사하여 상기 제1 화합물로 그라프트된 탄소나노튜브를 얻는 단계를 포함하되,상기 제1 화합물은 옥타데실아민, 폴리비닐피롤리돈(PVP), 폴리에틸렌글라이콜(PEG), 도데실벤젠설폰산, 트리에틸렌테트라아민, 디시클로헥실카르보디이미드 중에서 선택되는 1종 이상이며, 상기 제1 화합물과 친수성기가 도입된 탄소나노튜브는 0
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계 또는 (D) 단계에서 상기 마이크로웨이브 파장은 300-30,000 MHz이고, 출력은 60-1,200 W인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계 또는 (D) 단계에서 상기 마이크로웨이브 조사는 60-200 ℃의 온도에서 5-60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (A) 단계에서 상기 산 용액은 황산, 질산, 염산, 인산, 고분자 인산, 과산화수소 중에서 선택되는 1종 이상의 강산인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서 세척 공정은 pH가 6-8이 될 때까지 수행하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서 상기 제1 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 포름아미드, 메톡시에탄올, 디메틸설폭사이드, 디메틸포름아미드, 다이클로로메탄, 아세톤, 톨루엔, 과산화수소, 수산화암모늄, 아세트산, 아세토니트릴 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서 상기 제1 용매는 탄소나노튜브에 대하여 5-50 부피비로 사용하는 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 (B) 단계에서 상기 친수성기는 히드록시기(-OH), 포르밀기(-CHO), 카르보닐기(-CO), 카르복시기(-COOH), 아민기(-NH2) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 화합물은 옥타데실아민이고, 상기 (A) 단계 또는 (D) 단계에서 상기 마이크로웨이브 파장은 1,000-3,000 MHz, 출력은 300-900 W이고, 세척 공정 수행 시 pH가 6-8인 조건인 것을 특징으로 하는 마이크로웨이브를 이용한 탄소나노튜브의 표면 개질 방법
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