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탄소나노플레이크의 성장 방법 및 이에 의해 형성된 탄소나노플레이크 구조물

  • 기술번호 : KST2015123787
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전구체 가스인 CH4, H2, Ar의 적절한 조성을 통해 탄소나노튜브의 그래핀층이 부분적으로 식각됨을 유도함과 함께 식각된 부위에서 탄소나노플레이크가 평면상의 형태로 성장되도록 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법 및 이에 의해 형성된 탄소나노플레이크 구조물에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 탄소나노플레이크의 성장 방법은 탄소나노튜브가 구비된 실리콘 기판을 준비하는 단계 및 CH4, H2, Ar의 혼합가스를 전구체로 이용하는 화학기상증착 공정을 통해, 상기 탄소나노튜브 상에 탄소나노플레이크를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 화학기상증착 공정시, CH4, H2, Ar의 혼합가스는 Ar 과잉 분위기이며, Ar 과잉 분위기 하에서 탄소나노튜브를 구성하는 그래핀층이 부분적으로 식각되고, 식각된 지점에서 탄소나노플레이크의 그래핀층이 성장하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01) C01B 32/18(2013.01)
출원번호/일자 1020120049140 (2012.05.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1313753-0000 (2013.09.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131014) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울 노원구
2 이학주 대한민국 인천 계양구
3 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
4 박종극 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0370312-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0053026-13
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0649098-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
탄소나노튜브가 구비된 실리콘 기판을 준비하는 단계; 및CH4, H2, Ar의 혼합가스를 전구체로 이용하는 화학기상증착 공정을 통해, 상기 탄소나노튜브 상에 탄소나노플레이크를 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 화학기상증착 공정시, CH4, H2, Ar의 혼합가스는 Ar 과잉 분위기이며, Ar 과잉 분위기 하에서 탄소나노튜브를 구성하는 그래핀층이 부분적으로 식각되고, 식각된 지점에서 탄소나노플레이크의 그래핀층이 성장하는 것을 특징으로 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 CH4, H2, Ar의 혼합가스의 조성은 CH4:H2:Ar = 1:4∼15:84∼95 인 것을 특징으로 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 멀티월탄소나노튜브(MWCNT) 또는 싱글월탄소나노튜브(SWCNT)인 것을 특징으로 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 구비된 실리콘 기판을 준비하는 단계는, 탄소나노튜브가 분산된 메탄올 용액을 준비하는 과정과, 상기 탄소나노튜브가 분산된 메탄올 용액을 실리콘 기판 상에 캐스팅하는 과정과, 상기 기판을 건조하여 메탄올을 휘발시키는 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노플레이크의 성장 방법
5 5
실리콘 기판 상에 구비된 탄소나노튜브; 및 상기 탄소나노튜브 상에 성장된 탄소나노플레이크를 포함하여 이루어지며, 상기 탄소나노플레이크는 Ar 과잉 분위기의 CH4, H2, Ar의 혼합가스를 전구체로 이용하는 화학기상증착 공정을 통해 성장되며, 상기 화학기상증착 공정시, Ar 과잉 분위기 하에서 탄소나노튜브를 구성하는 그래핀층이 부분적으로 식각되고, 식각된 지점에서 탄소나노플레이크의 그래핀층이 성장된 것이며, 상기 CH4, H2, Ar의 혼합가스의 조성은 CH4:H2:Ar = 1:4∼15:84∼95 인 것을 특징으로 하는 탄소나노플레이크 구조물
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