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단일 기판에 다양한 크기의 양자세선을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015121015
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판에 다양한 크기를 갖는 산화막이 없는 영역을 형성한 후 그 산화막이 없는 영역에 선택적 에피택셜 성장법을 이용하여 삼각형 구조의 에피택셜층을 성장시켜서 단일 반도체 기판에 여러 가지 크기의 양자세선을 형성하는 것이다. 이와 같은 구조를 광소자 제작에 응용하면 한 기판에 다양한 파장을 갖는 광소자를 한 번에 제작할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02395(2013.01) H01L 21/02395(2013.01)
출원번호/일자 1020030056953 (2003.08.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0525798-0000 (2005.10.26)
공개번호/일자 10-2005-0019295 (2005.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20051122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성일 대한민국 서울특별시동대문구
2 김용태 대한민국 서울특별시송파구
3 김영환 대한민국 서울특별시노원구
4 김춘근 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.18 수리 (Accepted) 1-1-2003-0303536-29
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2003.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2003-5159567-83
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.04.21 수리 (Accepted) 9-1-2005-0023407-81
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0197072-52
6 의견서
Written Opinion		 2005.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2005-0335459-75
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0335460-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0512505-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 위에 산화막을 증착하는 단계와,상기 산화막이 제거된 영역이 다양한 폭을 갖도록 상기 산화막을 다양한 폭으로 에칭하는 단계와,상기 산화막이 제거된 영역에 선택적 에피택셜 성장에 의하여 삼각형 구조를 성장시키는 단계를 포함하며,상기 삼각형 구조의 상부 꼭지점에 양자 세선이 위치하는 것을 특징으로 하는 단일 기판에 다양한 크기의 양자세선을 형성하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 삼각형 구조를 성장시키는 단계에서 에피택셜 성장율을 조절하여 삼각형 구조의 에피택셜층의 성장특성 및 표면특성을 개선하는 것을 특징으로 하는 단일 기판에 다양한 크기의 양자세선을 형성하는 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 에피택셜 성장율은 AlGaAs인 경우 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 삼각형 구조를 성장시키는 단계에서 에픽택셜 성장시간을 조절하여 다양한 크기의 사다리꼴 구조를 성장시키는 것을 특징으로 하는 단일 기판에 다양한 크기의 양자세선을 형성하는 방법
5 5
제 1항의 방법에 의하여 상기 삼각형 구조의 꼭지점 근처에 형성된 다양한 크기의 양자세선을 이용하여 다양한 파장을 갖도록 제작된 것을 특징으로 하는 광소자
6 5
제 1항의 방법에 의하여 상기 삼각형 구조의 꼭지점 근처에 형성된 다양한 크기의 양자세선을 이용하여 다양한 파장을 갖도록 제작된 것을 특징으로 하는 광소자
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1 JP17064439 JP 일본 FAMILY

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1 JP2005064439 JP 일본 DOCDBFAMILY
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