맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전기화학 캐패시터 및 그에 이용 가능한 전극

  • 기술번호 : KST2015121344
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 니켈 폼(Ni foam) 전류포집기(current collector)에 부착된 탄소 나노 파이버(carbon nano fiber, CNF)와 망간 산화물(Manganese oxide, MnO2)을 이용한 슈퍼 캐패시터에 관한 것이다. 더욱 상세하게는　본 발명에 의해 제조된 전극은 망간 산화물과 고정된 탄소 나노 파이버의 높은 비표면적의 결합으로 비축전용량(specific capacitance) 및 비에너지 밀도가 큰 슈퍼 캐패시터에 관한 것이다.
Int. CL H01G 4/008 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01)
CPC H01G 4/008(2013.01) H01G 4/008(2013.01) H01G 4/008(2013.01)
출원번호/일자 1020070130399 (2007.12.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0926177-0000 (2009.11.03)
공개번호/일자 10-2009-0062912 (2009.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (20091110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.13)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 민형섭 대한민국 충남 당진군
3 이재갑 대한민국 서울특별시 노원구
4 오영제 대한민국 서울 영등포구
5 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0898434-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062387-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0102021-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.05.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0267059-35
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0267058-90
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0344616-43
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.09.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0046968-35
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0443417-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
니켈 폼 형상의 전류 포집기를 형성하는 단계; 탄화수소 가스와 질소 가스 하에서 상기 전류 포집기 상에 탄소 나노 파이버를 형성하는 단계: 및 상기 나노 파이버에 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 산화망간 박막, 산화니켈 박막 또는 산화루테늄 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기화학 캐패시터 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 탄화수소 가스는 에탄, 메탄, 부탄, 프로판, 에틸렌 및 아세틸렌 가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전기화학 캐패시터 제조방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 탄소 나노 파이버를 형성하는 단계는 400-700℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 전기화학 캐패시터 제조방법
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.