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산화 아연 계 투명 전도성 산화물 박막의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121717
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 평판 디스플레이 등에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로 알루미늄과 갈륨이 도핑된 산화아연 박막을 제공한다. 상대적으로 산소 안정성이 좋고 에칭 특성 개선이 예상되는 갈륨을 동시 도핑함으로써 알루미늄 도핑된 산화아연(AZO) 박막의 산화반응에 의한 물성 저하 및 에칭 속도가 빠른 문제점을 개선하였다. 알루미늄이 포함된 산화아연 타겟과 갈륨이 포함된 산화아연 타겟을 경사지도록 배치하고 스퍼터링 파워를 조절하여 알루미늄과 갈륨의 비율을 조절하였으며, 제조된 산화아연 박막의 전기적 특성, 경시(aging) 특성, 에칭 특성 등이 향상된 것을 확인하였다. 투명 전도성 산화물 박막, 알루미늄/갈륨 도핑된 산화아연 박막, 에칭 특성, 전기 비저항, 이동도, 캐리어 농도, 광 투과율
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020050052647 (2005.06.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0682741-0000 (2007.02.08)
공개번호/일자 10-2006-0132351 (2006.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20070215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김원목 대한민국 서울특별시 노원구
3 김인호 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0323182-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0053978-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0506082-14
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0785192-02
6 의견서
Written Opinion		 2006.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0785191-56
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0070670-25
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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기판 상에 산화아연 박막을 형성함에 있어서,진공 상태에서 스퍼터링에 의하여 알루미늄과 갈륨을 동시에 도핑하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제4항에 있어서, 알루미늄이 도핑된 산화아연 타겟과 갈륨이 도핑된 산화아연 타겟을 이용하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 두 타겟을 각각 경사지도록 기울여 기판 중앙을 향하도록 배치하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨의 도핑 비율은 1:2 ~ 2:1 인 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도핑 비율은 스퍼터링 파워의 크기로 조절하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨의 도핑 양은 각각 4 at%, 1 at% 인 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
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제4항에 있어서, 알루미늄과 갈륨을 함께 포함하는 산화아연 단일 타겟을 사용하는 투명 전도성 산화물 박막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.