요약 | 본 발명은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 발명에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 발명에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반소재를 제공할 수 있게 된다. |
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Int. CL | H01L 21/20 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020000083712 (2000.12.28) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-0359739-0000 (2002.10.23) |
공개번호/일자 | 10-2002-0055475 (2002.07.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20021109) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2000.12.28) |
심사청구항수 | 6 |