1 |
1
전계방출소자부가 형성되어 있는 캐소드 기판의 상기 전계방출소자부 주변에 접합매개물을 증착하고, 스페이서와 상기 캐소드 기판의 양단에 전압을 인가하여 정전열접합에 의해 상기 스페이서와 상기 캐소드 기판을 접합하고, 형광체가 도포되어 있는 애노드 기판에 전극물질과 접합매개물을 차례로 증착하고, 상기 캐소드 기판과 접합된 스페이서와 상기 애노드 기판의 양단에 전압을 인가하여 정전열접합에 의해 상기 스페이서와 상기 애노드 기판을 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
2 |
2
전계방출소자가 형성되어 있는 캐소드 기판의 상기 전계방출소자 주변에 접합매개물을 증착하고, 스페이서와 상기 캐소드 기판의 양단에 전압을 인가하여 정전열접합에 의해 상기 스페이서와 상기 캐소드 기판을 접합하고, 상기 스페이서 또는 형광체가 도포되어 있는 애노드 기판에 유리프릿을 바르고, 상기 스페이서와 애노드 기판을 정렬한 후 열처리하여 상기 스페이서와 상기 애노드 기판을 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 캐소드 기판과 애노드 기판 사이에 게터(getter)를 설치하는 단계를 추가로 포함하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스페이서는 유리 기판을 실장라인을 따라 패터닝하고 HF(Hydrofluoric Acid)용액으로 식각(etching)하여 내부가 비어 있도록 형성된 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 접합매개물로 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 알루미늄, ITO, 티타늄, 크롬, 몰리브덴 중의 어느 하나를 500Å이상으로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극물질로 투명전극(In2O3-SnO2:ITO), 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 구리, 은, 금 중의 어느 하나를 500Å이상으로 증착하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
7 |
7
제2항에 있어서, 상기 애노드 기판과 스페이서는 가스 분위기에서 상기 유리프릿을 열처리하여 접합하고, 상기 스페이서와 캐소드 기판은 진공 분위기에서 정전열접합하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극물질로는 투명 전극을, 상기 접합매개물로는 비정질실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하였을 경우, 산소가스를 불어넣어주어 전극물질과 접합매개물의 중간에 100Å 이상의 버퍼층(Buffer layer)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
9 |
9
제8항에 있어서, 알에프-마그네트론 스퍼터(RF-magnetron sputter)를 이용하여 실리콘 타겟만으로 기판과 접합매개물간의 응착력 개선을 위하여 버퍼층을 증착하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
10 |
10
제9항에 있어서, 버퍼층 형성을 위하여 아르곤 가스 외에 산소, 질소 가스를 미량 주입하여 증착하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
11 |
11
제8항에 있어서, 상기 버퍼층은 질화막 또는 순수 옥사이드인 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
12 |
12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 캐소드 기판의 뒷면에 보조 유리기판을 추가로 접합하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
13 |
13
제12항에 있어서, 상기 스페이서와 상기 보조 유리기판에 동시에 음극을 인가하고 상기 캐소드 기판에는 양극을 인가하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
14 |
14
제12항에 있어서, 상기 스페이서, 캐소드 기판 및 보조 유리기판을 포개어 놓고 보조유리기판에는 음극을 인가하고, 스페이서에는 양극을 인가하여 1차 및 2차 정전력에 의해 세 장을 동시에 접합하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
15 |
15
제1항 또는 제2항에 있어서, 전계방출소자부가 형성되어 있는 상기 캐소드 기판은 기판 위에 금속을 증착하여 신호라인을 형성하고, 상기 신호라인 위에 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 화학연마(Chemical mechanical polishing)하여 평탄화하고, 평탄화된 상기 절연층 위에 게이트층을 형성하고, 상기 게이트층 위에 접합층을 형성하고, 상기 신호라인 위의 절연층, 게이트층 및 접합층을 패터닝하고 식각하여 미세홀을 형성하고, 상기 미세홀에 전계방출팁(tip)을 형성하는 단계를 포함하여 제조하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
16 |
16
제1항 또는 제2항에 있어서, 전계방출소자부가 형성되어 있는 상기 캐소드 기판은 기판 위에 금속을 증착하여 신호라인을 형성하고, 상기 신호라인 위에 절연층을 형성하고, 상기 절연층을 화학연마하여 평탄화하고, 평탄화된 상기 절연층 위에 게이트층을 형성하고, 상기 신호라인 위의 절연층 및 게이트층을 패터닝하고 식각하여 미세홀을 형성하고, 상기 게이트층 위에 접합층을 형성하고, 상기 미세홀에 전계방출팁을 형성하는 단계를 포함하여 제조하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
17 |
17
제1항 또는 제2항에 있어서, 전계방출소자부가 형성되어 있는 상기 캐소드 기판은 기판 위에 금속을 증착하여 신호라인을 형성하고, 상기 신호라인 위에 5Å/sec 이상의 빠른 속도로 증착하여 절연층을 형성하고, 상기 절연층 위에 게이트층을 형성하고, 상기 게이트층 위에 접합층을 형성하고, 상기 신호라인 위의 절연층, 게이트층 및 접합층을 패터닝하고 식각하여 미세홀을 형성하고, 상기 미세홀에 전계방출팁을 형성하는 단계를 포함하여 제조하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
18 |
18
제1항 또는 제2항에 있어서, 전계방출소자부가 형성되어 있는 상기 캐소드 기판은 기판 위에 금속을 증착하여 신호라인을 형성하고, 상기 신호라인 위에 절연층으로 SOG(Spin on glass) 또는 물유리(Water glass)를 코팅하고, 상기 절연층 위에 게이트층을 형성하고, 상기 게이트층 위에 접합층을 형성하고, 상기 신호라인 위의 절연층, 게이트층 및 접합층을 패터닝하고 식각하여 미세홀을 형성하고, 상기 미세홀에 전계방출팁(tip)을 형성하는 단계를 포함하여 제조하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
19 |
19
삭제
|
20 |
20
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 캐소드 기판의 전계방출부 이외의 영역에 50 ∼ 100μm 직경의 다수의 미세 배기홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
21 |
21
제20항에 있어서, 상기 캐소드 기판의 배면에 다수의 게터룸(getter room)이 형성된 보조 유리기판을 접합하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
22 |
22
제21항에 있어서, 상기 보조 유리기판은 직접 접합, 정전열 접합, 용융 접합, 유리프릿, Solder-ball 중의 어느 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|
23 |
23
전계방출소자가 형성되어 있고 상기 전계방출소자가 형성된 이외의 영역에 배기홀이 있는 캐소드 기판과 형광체가 도포되어 있는 애노드 기판을 정렬한 후 유리프릿을 이용하여 열처리하거나 상기 두 기판의 양단에 전압을 인가하여 상기 캐소드 기판과 상기 애노드 기판을 접합하고, 배기홀이 형성되어 있고 하면에는 전극물질과 접합매개물이 차례로 증착되어 있는 보조 유리기판과 상기 캐소드 기판의 배기홀과 정렬하여 상기 보조 유리기판과 상기 캐소드 기판을 유리프릿으로 접합하고, 상기 보조 유리기판의 하면에 또 다른 유리기판을 접촉시키고 양 유리기판에 전압을 인가하여 정전열접합에 의하여 상기 두 유리기판을 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 정전열접합을 이용한 진공실장방법
|