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마그네슘 산화물 패시배이션 층을 갖는 전자 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122129
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자 장치는, 기판; 상기 기판상에 위치하며 적어도 부분적으로 외부에 노출된 산화물 반도체 층을 포함하는 반도체 소자; 및 상기 산화물 반도체 층의 노출된 부분을 덮도록 상기 반도체 소자상에 위치하며 마그네슘(Mg)이 포함된 산화물 절연체로 이루어지는 패시배이션(passivation) 층을 포함할 수 있다. 산화 마그네슘(MgOx) 등 마그네슘이 포함된 산화물 절연체로 이루어지는 패시배이션 층을 이용함으로써, 반도체 소자의 산화물 반도체 층에 대한 수분 및/또는 가스 투과를 차단할 수 있으며 가시광선의 투과율을 높일 수 있다. 그 결과, 반도체 소자의 특성이 개선되는 이점이 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01)
출원번호/일자 1020110035588 (2011.04.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0118171 (2012.10.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.18)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0283893-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0395464-77
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0727560-59
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0616057-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판상에 위치하며 적어도 부분적으로 외부에 노출된 산화물 반도체 층을 포함하는 반도체 소자; 및상기 산화물 반도체 층의 노출된 부분을 덮도록 상기 반도체 소자상에 위치하며 마그네슘이 포함된 산화물 절연체로 이루어지는 패시배이션 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 패시배이션 층은, 실리콘, 게르마늄, 주석, 티타늄, 갈륨, 붕소, 알루미늄 및 아연으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 패시배이션 층에서, 마그네슘에 대한 상기 하나 이상의 물질의 조성비는 0
4 4
제 1항에 있어서,상기 패시배이션 층상에 위치하며, 산화 실리콘, 질화 실리콘 및 폴리메틸메타크릴레이트로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치
5 5
적어도 부분적으로 외부에 노출된 산화물 반도체 층을 포함하는 반도체 소자를 기판상에 제공하는 단계; 및상기 산화물 반도체 층의 노출된 부분을 덮도록, 상기 반도체 소자상에 마그네슘이 포함된 산화물 절연체로 이루어지는 패시배이션 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.