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하기 화학식 1로 표시되는 산화주석화합물을 포함하는 p형 투명 산화물 반도체
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제1항에 있어서,상기 산화주석화합물은 주석산화물의 주석(Sn) 자리에 3가 금속(M)이 도핑된 루틸 구조를 가지는 것인 p형 투명 산화물 반도체
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제1항에 있어서,상기 3가 금속(M)은 Rh, Al, Mn, Fe, Co, Cr, Ga, La 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 p형 투명 산화물 반도체
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게이트 기판,상기 게이트 기판 위에 위치하는 절연층,상기 절연층 위에 위치하고, p형 투명 산화물 반도체를 포함하는 채널층, 그리고상기 절연층 위에 위치하는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 소스 전극과 드레인 전극은 서로 이격된 것이며,상기 p형 투명 산화물 반도체는 하기 화학식 1로 표시되는 산화주석화합물을 포함하는 것인 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 3가 금속(M)은 Rh, Al, Mn, Fe, Co, Cr, Ga, La 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 채널층은 두께가 50 내지 200 nm인 것인 트랜지스터
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제4항에 있어서,상기 트랜지스터는 바텀 게이트 구조 또는 탑 게이트 구조인 것인 트랜지스터
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주석 전구체, 3가 금속 전구체를 포함하는 전구체 용액을 제조하는 용액제조단계,상기 전구체 용액을 이용하여 기판상에 전구체 코팅층을 형성하는 코팅단계, 그리고상기 전구체 코팅층을 열처리하여 하기 화학식 1로 표시되는 산화주석화합물을 포함하는 p형 투명 산화물 반도체를 수득하는 열처리단계를 포함하는 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 전구체 용액은 안정화제를 더 포함하는 것이고,상기 안정화제는 주석 전구체 또는 3가 금속 전구체를 포함하는 전구체의 가수분해 반응을 제어하는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 용액제조단계는 25 내지 80℃에서 1 내지 3시간 동안 가열, 교반하는 과정을 포함하는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리단계의 열처리는 150 내지 450℃에서 2 내지 20분간 이루어지는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 열처리 단계의 열처리는 산소 분위기에서 이루어지는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 코팅단계는 스핀코팅법, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 또는 잉크 젯 프린팅을 이용하여 수행되는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 전구체 용액은 3가 금속(M)과 주석(Sn)이, M의 몰수/(M의 몰수+Sn의 몰수)가 0
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제8항에 있어서,상기 3가 금속 전구체는 금속 아세테이트 테트라하이드라이트 (metal acetate tetrahydrate, M(CH3COO)2·4H2O, 상기 M은 3가 금속), 금속 아세테이트 (metal acetate, M(CH3COO)2, 상기 M은 3가 금속), 금속 아세테이트 디하이드라이트 (metal acetate dihydrate, M(CH3COO)3·2H2O, 상기 M은 3가 금속) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 주석 전구체는 틴 클로라이드 디하이드라이트(tin chloride dehydrate, SnCl2:2H2O), 틴 클로라이드 (Tin chloride, SnCl2), 틴 클로라이드 펜타하이드라이트 (tin chloride pentahydrate, SnCl4:5H2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것인 p형 투명 산화물 반도체의 제조방법
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