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성장 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막에 임시 기판을 접합하는 단계; 상기 성장 기판 상에 레이저를 조사하여 상기 성장 기판으로부터 상기 임시 기판이 접합된 산화물 박막을 분리하는 단계; 상기 분리된 임시 기판이 접합된 산화물 박막에 소자 기판을 접합하는 단계; 상기 임시 기판을 분리하는 단계; 및상기 산화물 박막에 상부 전극막을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 박막 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 성장 기판은 상기 조사하는 레이저의 파장에 해당하는 에너지 보다 에너지 밴드갭이 큰 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 박막은 상기 레이저 조사에 의하여 결정질이 비정질화되어 분해 가능하며, 그의 에너지 밴드갭은 상기 성장 기판의 에너지 밴드갭보다 낮은 것인 산화물 박막 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 산화물 박막은 PZT, PLZT, SBT, SBTN, BIT, BLT, PMN-PT 및 PZN-PT의 페로브스카이트 물질 및 ZnO, MgO, CdO의 이원산화물로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 임시 기판은 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, Polymethylmethacrylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리시클릭 올레핀(polycyclic olefine), 폴리이미드(polyimide) 및 폴리우레탄 (polyurethane)으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 레이저는 상기 성장 기판과 상기 산화물 박막의 밴드갭(Band gap) 사이의 에너지를 갖는 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 소자 기판은 반도체 기판, 산화물 기판 또는 플렉서블 기판인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극막은 Pt, Au, Al, Cu, Ti 및 이들의 합금으로 이루어진 군과 TiN, WN, In2O3:Sn(ITO), SnO2:F(FTO), SrTiO3, 및 LaNiO3으로 이루어진 군에서 일종 이상 선택되는 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 전극막은 쐐기 모양의 IDE(interdigital electrode) 패턴을 갖는 것인 산화물 박막 소자의 제조방법
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