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산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이 분산된 용액을 포함하는 잉크를 준비하는 단계;상기 잉크를 기판 상에 패턴 형태로 형성시키는 단계; 및 상기 형성된 패턴 내 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이, 잉크 내 커피링 효과(coffee ring effect)에 의해, 상기 패턴의 가장 자리에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 이들의 사이에 위치하는 반도체 채널;을 형성하는 단계;를 포함하는 단공정 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 형성된 패턴 내 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이, 잉크 내 커피링 효과(coffee ring effect)에 의해, 상기 패턴의 가장 자리에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 이들의 사이에 위치하는 반도체 채널;을 형성하는 단계; 이후에, 상기 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 채널 내 산화 그래핀을 환원시키는 단계;를 더 포함하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 채널 내 산화 그래핀을 환원시키는 단계;는, 백색 펄스광(intense pulsed light)을 이용하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 형성된 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체 채널에서, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 분리 절단하는 단계;를 더 포함하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이 분산된 용액을 포함하는 잉크를 준비하는 단계;에서, 상기 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이 분산된 용액은, 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이 분산된 유기 용매, 물 또는 이들의 혼합으로 이루어진 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에서,상기 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이 분산된 용액은 0
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제5항에서,상기 유기 용매는 n-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸피롤리돈, 에틸렌글리콜, 아세톤, 테트라하이드로퓨란, 아세톤니트릴, 디메틸포름아미드, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 다이메틸셀폭시화물, 클로로포름, 싸이클로펜타논, 또는 이들의 조합인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제5항에서,상기 유기 용매, 물 또는 이들의 혼합인 용매는 제1 용매 및 제2 용매를 포함하는 혼합 용매이고, 이때, 제2 용매는 제1 용매에 비해 비점이 낮고 표면 장력이 낮거나, 제2 용매는 제1 용매에 비해 비점이 높고 표면 장력이 높은 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 잉크를 기판 상에 패턴 형태로 형성시키는 단계;는, 용액의 젖음성을 선택적으로 제어하는 방식, 잉크젯 프린팅 방식, 또는 디스펜서를 이용한 방식을 이용하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에서,상기 잉크젯 프린팅 방식에서, 토출되는 잉크의 부피는 1 ㎕ 이하인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 형성된 패턴 내 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이, 잉크 내 커피링 효과(coffee ring effect)에 의해, 상기 패턴의 가장 자리에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 이들의 사이에 위치하는 반도체 채널;을 형성하는 단계;에서, 상기 형성된 소스 전극 및 드레인 전극은 5 내지 50nm의 두께이며, 상기 형성된 반도체 채널은 10nm 이하의 두께인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 반도체 채널의 두께 차이는 2nm 이상인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 소스 전극으로부터 상기 드레인 전극까지의 거리는 20 내지 200 ㎛ 인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 형성된 패턴 내 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이, 잉크 내 커피링 효과(coffee ring effect)에 의해, 상기 패턴의 가장 자리에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 이들의 사이에 위치하는 반도체 채널;을 형성하는 단계; 이후, 상기 잉크 내 잔여 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에서,상기 백색 펄스광(intense pulsed light)은, 1 msec 내지 500 msec 의 펄스 지속 시간을 가지는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에서,상기 백색 펄스광(intense pulsed light)은, 0
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제3항에서,상기 백색 펄스광(intense pulsed light)은, 5 내지 200 J/㎠의 에너지를 가지는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 기판은 실리콘, 유리, 산화물, 질화물, 플라스틱 또는 이들의 조합을 포함하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제10항에서,상기 잉크젯 프린팅 방식에서, 토출 부피는 1 μL 이하, 토출 속도는 1 내지 1000 Hz, 기판의 온도는 25 내지 90 ℃ 인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에서,상기 형성된 패턴 내 산화 그래핀(graphene oxide), 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide) 또는 이들의 조합이, 잉크 내 커피링 효과(coffee ring effect)에 의해, 상기 패턴의 가장 자리에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 이들의 사이에 위치하는 반도체 채널;을 형성하는 단계;는, 상기 패턴이 형성된 기판을 가열하여, 잉크 내 용매를 증발 속도를 향상시켜 커피링 효과를 증대시키는 단계를 포함하는 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제9항에서,상기 용액의 젖음성을 선택적으로 제어하는 방식은, 상기 기판 상의 표면 에너지를 일정한 패턴 형태로 선택적으로 제어하여, 상기 표면 에너지가 제어된 패턴 상에 잉크가 젖게 되어 패턴이 형성되는 방식인 것인 박막 트랜지스터의 제조 방법
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