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나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015123034
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노튜브 박막 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 전극이 형성된 기판을 준비하는 제1단계; 상기 기판의 전극 상에 금속 박막을 증착하는 제2단계; 상기 금속 박막을 양극 산화시켜 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 감지막을 형성하는 제3단계; 및 상기 가스 감지막의 표면을 식각하는 제4단계를 포함하는 가스 센서의 제조방법를 제공한다. 또한, 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 전극; 및 상기 전극 상에 형성된 가스 감지막을 포함하되, 상기 가스 감지막은, 전극 상에 증착된 금속 박막이 양극 산화되어 형성된 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명에 따르면, 공정이 단조롭고 일반적인 실리콘 반도체 제조 공정과 호환성을 갖는다. 또한, 대량 생산이 가능하고, 대면적과 함께 고감도 및 고신뢰성을 갖는다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01) G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020110134586 (2011.12.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1372287-0000 (2014.03.04)
공개번호/일자 10-2013-0067729 (2013.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.14)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 대구광역시 수성구
2 윤석진 대한민국 서울특별시 도봉구
3 김진상 대한민국 서울특별시 동작구
4 최지원 대한민국 서울특별시 성동구
5 강종윤 대한민국 서울특별시 서초구
6 김도홍 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 브릴리언트앤컴퍼니 주식회사 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0993971-93
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0001645-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0389823-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0627659-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0627660-38
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0841677-14
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1137656-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0146762-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전극이 형성된 기판을 준비하는 제1단계; 상기 기판의 전극 상에 금속 박막을 증착하는 제2단계; 상기 금속 박막을 양극 산화시켜 금속 산화물 나노튜브를 포함하는 가스 감지막을 형성하는 제3단계; 및 상기 가스 감지막의 표면을 식각하는 제4단계를 포함하되,상기 제3단계는 음극으로는 금속을 사용하고, 양극으로는 전극 상에 금속 박막이 증착된 기판을 사용하여 전압을 인가하되, 상기 금속 박막의 하부에 형성된 전극에 전기를 접촉하여 양극 산화시키고,상기 금속 박막의 하부에 형성된 전극은 패터닝된 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 표면 식각된 가스 감지막을 열처리하는 제5단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2단계는 기판의 온도를 300℃ ~ 600℃로 유지하여 금속 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 제3단계는 20V ~ 200V의 전압을 인가하여 양극 산화시키는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2단계의 금속 박막 증착 시 두께 조절을 통해 금속 산화물 나노튜브의 길이를 제어하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제3단계의 양극 산화 시 전압 조절을 통해 금속 산화물 나노튜브의 직경을 제어하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노튜브가 직경 20㎚ ~ 200㎚, 길이 500㎚ ~ 10,000㎚를 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 가스 센서의 제조방법
9 9
기판; 상기 기판 상에 형성된 전극; 및 상기 전극 상에 형성된 가스 감지막을 포함하되, 상기 가스 감지막은, 상기 전극 상에 증착된 금속 박막이 양극 산화되어 형성된 금속 산화물 나노튜브를 포함하고,상기 금속 산화물 나노튜브는 상기 전극에 전기를 접촉함으로써 양극 산화된 것이고, 상기 전극은 패터닝된 것을 특징으로 하는 가스 센서
10 10
제9항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노튜브는 직경 20㎚ ~ 200㎚, 길이 500㎚ ~ 10,000㎚를 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서
11 11
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노튜브는 TiO2 나노튜브를 포함하되, 상기 TiO2 나노튜브는 아나타제(anatase)와 루타일(rutile) 상의 중량비가 10 ~ 6 : 0 ~ 4인 것을 특징으로 하는 가스 센서
12 12
제9항에서 있어서, 상기 가스 센서는 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 가스 센서
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