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기판과, 상기 기판 상에 접착층(adhesive layer)을 형성하는 제1 단계;상기 접착층 상에 두 가지 이상의 원소를 함유하는 합금 박막을 형성하는 제2단계;상기 합금 박막으로부터 특정원소를 선택적으로 제거하여 다공층을 형성하는 제3단계; 상기 제조된 박막을 열처리 하는 제4단계; 및상기 기판, 상기 접착층 및 상기 다공층을 포함하는 다공성 박막을 작동 전극으로 하여 센서를 제조하는 제5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 접착층(adhesive layer)과 상기 합금 박막 사이에 언더층(underlayer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 합금 박막은 두 가지 이상의 원소를 스퍼터 증착함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 합금 박막은 Pt, Pd, Au 및 Ag로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상의 원소와 Si를 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3 단계는 특정 원소에 대한 선택적 용해성을 가지는 용매를 사용하여 특정 원소를 선택적으로 제거함으로써 다공층을 형성하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제3 단계는 상기 특정 원소에 대한 반응성이 높은 반응기체를 사용하여 건식적으로 상기 특정 원소를 선택적으로 제거함으로써 다공층을 형성하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 합금 박막에서 제거되는 특정 원소는 Si 인 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공층에 금속산화물층을 더욱 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 금속산화물층은 원자층증착 (atomic layer deposition)법, 스퍼터링법, 함침법으로부터 선택된 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 금속산화물층은 티타니아 (titania), 세리아 (ceria), 지르코니아 (zirconia), 알루미나(alumina), 아연산화물(Zinc oxide)로 이루어진 군 중에서 하나 이상을 선택하여 포함하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 50 내지 250℃에서 10분 내지 3시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공층은 1 내지 50 nm 크기의 기공을 가지는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공층은 1nm 내지 500 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 다공층은 1 내지 500 의 거칠기(roughness factor)를 가지는 것을 특징으로 하는 센서의 제조방법
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기판; 상기 기판 상에 형성된 접착층(adhesive layer);상기 접착층 상에 형성된 다공층(porous layer); 및상기 다공층 상에 형성된 금속 산화물층;을 포함하는 박막을 작동 전극으로 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
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제15항에 있어서, 상기 접착층과 상기 다공층 사이에 언더층 (underlayer) 을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
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제15항에 있어서, 상기 센서는 페닐기를 포함하는 화합물 및 아민기를 포함하는 화합물로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 농도를 검출하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 센서
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제17항에 있어서, 상기 페닐기를 포함하는 화합물은 페놀을 포함하고, 상기 아민기를 포함하는 화합물은 히드록실아민 및 아닐린으로 이루어진 군중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
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제15항에 있어서, 상기 금속산화물층은 티타니아 (titania), 세리아 (ceria), 지르코니아 (zirconia), 알루미나(alumina), 및 아연산화물(Zinc oxide)로 이루어진 군 중에서 하나 이상을 선택하여 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
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