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다이아몬드합성방법

  • 기술번호 : KST2015123219
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온고압하에서 다이아몬드 입자를 합성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 다이아몬드의 육성시 용매금속판과 다이아몬드 입자의 밀도차에 의해 용매금속판의 아랫쪽면에 형성된 다이아몬드 입자가 용매금속판의 윗쪽면으로 떠오르는 현상을 방지하기 위하여 용매금속판의 사이에 텅스텐이나 몰리브데늄 박판으로 이루어진 중간층을 삽입한 데에 기술적 특징이 있다. 본 발명의 방법에 의하면 용매금속판의 상하부에 거의 같은 수, 같은 크기의 다이아몬드가 형성되는 이점이 있다.
Int. CL B01J 3/06 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C01B 32/26(2013.01)
출원번호/일자 1019920022102 (1992.11.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0098474-0000 (1996.04.18)
공개번호/일자 10-1994-0011348 (1994.06.21) 문서열기
공고번호/일자 1019960000943 (19960115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.11.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 은광용 대한민국 서울특별시송파구
2 박종구 대한민국 경기도미금시
3 이재갑 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0120529-13
2 특허출원서
Patent Application		 1992.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0120527-22
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.11.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0120528-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0039573-26
5 의견서
Written Opinion		 1995.10.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0120530-60
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0039574-72
7 등록사정서
Decision to grant		 1996.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0039575-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

흑연판과 용매금속판을 교대로 적층하여 고온고압하에서 다이아몬드를 합성하는 방법에 있어서, 용매금속판의 사이에 중간층을 삽입하여 용매금속판의 상하면에 동등한 수의 다이아몬드 입자를 형성시킴을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법

2 2

제1항에 있어서, 중간층이 텅스텐이나 몰리브데늄 박판인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법

3 3

제2항에 있어서, 중간층의 두께가 10-100㎛인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 합성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.