맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

램프가열및회전식기판을이용한박막제조방법및장치

  • 기술번호 : KST2015123248
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속, 반도체, 유전체박막등을 증착할 때 램프가열 장치와 회전식 기판을 이용하여 동일 진공반응로 내에서 증착과 열처리를 연속적으로 수행할 수 있도록 한 박막제조방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 반응기의 일측에 설치된 램프가 열장치의 빛을 이용하여 시편의 온도를 증착에 필요한 온도에 맞춘 후 램프가열장치의 반대편에 위치하는 전구체 확산판을 통해 시편측으로 반응물질을 분사시켜 시편의 표면에 박막의 증착이 이루어지도록 한 다음 회전식 기판을 구동하여 시편을 180° 회전시킨 상태에서 램프가열장치의 빛이 박막에 직접 쪼이도록 해서 박막의 열처리를 수행하도록 구성되어 있다. 본 발명은 박막의 증착공정 및 열처리 단계가 단일 진공반응기중에서 연속적으로 수행됨에 의해 증착된 박막의 결정성과 물리적 특성의 향상이 가능하고 증착 및 열처리의 반복수해에 의한 다층구조의 박막증착이 가능하다는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1019930028840 (1993.12.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0117421-0000 (1997.07.02)
공개번호/일자 10-1995-0020986 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970004424 (19970327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.21)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시송파구
2 이창우 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0144657-45
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0144658-91
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0144656-00
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068614-14
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068615-60
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

저압화학증착법, 플라즈마화학증착법 또는 스퍼터링에 의하여 금속, 반도체, 유전체의 비정질 또는 미세구조의 박막을 증착시키는 방법에 있어서, 반응기 내부의 시편을 중심으로 하여 전구체 확산판의 반대편에 위치하는 램프가열장치를 통해 시편의 온도를 필요한 증착온도에 이르게 한 후, 전구체 확산판으로부터 증착반응물을 분사하여 시편의 표면에 박막을 증착한 다음, 시편을 180˚회전시켜 시편의 박막이 램프가열장치로 향하도록 한 상태에서 램프가열장치의 빛을 박막표면에 직접 쪼여 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조방법

2 2

제1항에 있어서, 시편의 뒷편에 열전대가 구비된 온도측정용 실리콘 웨이퍼를 부착하여 증착온도와 열처리온도를 제어함을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조방법

3 3

제1항에 있어서, 증착공정 및 열처리공정을 수회 반복하여 다층구조의 박막을 형성함을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조방법

4 4

저압화학증착법, 플라즈마화학증착법 또는 스퍼터링에 의하여 금속, 반도체, 유전체의 비정질 또는 미세구조의 박막을 증착시키기 위한 박막증착장치에 있어서, 진공반응기(1)의 내부에 기판회전장치(5)에 의해 구동되는 기판지지대(4)가 회전가능하게 형성되고, 기판지지대(4)의 시편(6) 장착부 뒷쪽에 열전대(9)가 삽입된 온도측정용 실리콘 웨이퍼(7)가 형성되며, 시편(6)을 중심으로 일측에는 전구체 확산판(10)이 설치되고 타측에는 램프가열장치(2)가 설치되어 이루어진 것을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조장치

5 5

제4항에 있어서, 램프가열장치(2)는 텅스텐 할로겐 램프로 구성된 것을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조장치

6 6

제4항에 있어서, 램프가열장치(2)의 전방에 수정판(3)이 설치된 것을 특징으로 하는 램프가열 및 회전식 기판을 이용한 박막제조장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.